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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M005A040PG
  仓库库存编号：GP1M005A040PG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M007A080F
  仓库库存编号：1560-1203-5-ND
  别名：1560-1203-1
  1560-1203-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N50FD_001
  仓库库存编号：AOTF10N50FD_001-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N60_003
  仓库库存编号：AOTF10N60_003-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N60_006
  仓库库存编号：AOTF10N60_006-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N60L_002
  仓库库存编号：AOTF10N60L_002-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF11C60_001
  仓库库存编号：AOTF11C60_001-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF11C60P_001
  仓库库存编号：AOTF11C60P_001-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF12T60
  仓库库存编号：AOTF12T60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF20C60P_001
  仓库库存编号：AOTF20C60P_001-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM10NB60CI C0G
  仓库库存编号：TSM10NB60CI C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 50W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM4NB60CZ C0G
  仓库库存编号：TSM4NB60CZ C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR2605
  仓库库存编号：IRFR2605-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 15.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO220AB
  
  型号：BTS115ANKSA1
  仓库库存编号：BTS115ANKSA1-ND
  别名：BTS115A
  BTS115AIN
  BTS115AIN-ND
  SP000011193
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 56A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3707Z
  仓库库存编号：IRFR3707Z-ND
  别名：*IRFR3707Z
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP04N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP04N50C3HKSA1-ND
  别名：SPP04N50C3
  SPP04N50C3IN
  SPP04N50C3IN-ND
  SPP04N50C3X
  SPP04N50C3XK
  SPP04N50C3XTIN
  SPP04N50C3XTIN-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP04N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP04N60C3HKSA1-ND
  别名：SPP04N60C3
  SPP04N60C3IN
  SPP04N60C3IN-ND
  SPP04N60C3X
  SPP04N60C3XK
  SPP04N60C3XTIN
  SPP04N60C3XTIN-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD04N60C3INCT
  SPD04N60C3INCT-ND
  SPD04N60C3XTINCT
  SPD04N60C3XTINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD11N10
  仓库库存编号：SPD11N10INTR-ND
  别名：SP000013847
  SPD11N10INTR
  SPD11N10XT
  SPD11N10XT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 56A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 56A（Tc） 50W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3707ZPBF
  仓库库存编号：IRFU3707ZPBF-ND
  别名：*IRFU3707ZPBF
  SP001567690
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N50C3T
  仓库库存编号：SPD04N50C3XTINCT-ND
  别名：SPD04N50C3XTINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 20.8A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX27NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX27NQ11T,127-ND
  别名：934058494127
  PHX27NQ11T
  PHX27NQ11T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 24A（Tc） 50W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH3855L,115
  仓库库存编号：PH3855L,115-ND
  别名：934058855115
  PH3855L T/R
  PH3855L T/R-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 25A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB25N06S3L-22
  仓库库存编号：IPB25N06S3L-22-ND
  别名：IPB25N06S3L22XT
  SP000087994
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 25A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI25N06S3L-22
  仓库库存编号：IPI25N06S3L-22-ND
  别名：IPI25N06S3L22X
  IPI25N06S3L22XK
  SP000087996
  
  规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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