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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 11A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK75150-55A,127
  仓库库存编号：BUK75150-55A,127-ND
  别名：934056261127
  BUK75150-55A
  BUK75150-55A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 11A（Tc） 36W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK76150-55A,118
  仓库库存编号：BUK76150-55A,118-ND
  别名：934056272118
  BUK76150-55A /T3
  BUK76150-55A /T3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP230N06L3 G
  仓库库存编号：IPP230N06L3 G-ND
  别名：IPP230N06L3G
  IPP230N06L3GXKSA1
  SP000453648
  SP000680886
  
  规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP260N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP260N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP260N06N3 G
  IPP260N06N3 G-ND
  SP000453638
  SP000680918
  
  规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N06S4L23ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N06S4L23ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N06S4L-23
  IPD30N06S4L-23-ND
  SP000374320
  
  规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
• 
  
  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB230N06L3GATMA1
  仓库库存编号：IPB230N06L3GATMA1CT-ND
  别名：IPB230N06L3 GCT
  IPB230N06L3 GCT-ND
  IPB230N06L3G
  
  规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB260N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB260N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB260N06N3 GCT
  IPB260N06N3 GCT-ND
  IPB260N06N3G
  
  规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD250N06N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD250N06N3 GCT
  IPD250N06N3 GCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
• 无铅
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