规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF11N60
仓库库存编号：
FCPF11N60-ND
别名：FCPF11N60_NL
FCPF11N60_NL-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2.7A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP3N50PM
仓库库存编号：
IXFP3N50PM-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF11N60T
仓库库存编号：
FCPF11N60T-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 36W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF12N50C-E3
仓库库存编号：
SIHF12N50C-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 47A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 47A（Tc） 36W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC094N06LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC094N06LS5ATMA1-ND
别名：SP001458086
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 44A（Tc） 36W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA083N10N5XKSA1
仓库库存编号：
IPA083N10N5XKSA1-ND
别名：SP001226038
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 69A（Tc） 36W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA040N06NXKSA1
仓库库存编号：
IPA040N06NXKSA1-ND
别名：SP001196264
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF610
仓库库存编号：
IRF610-ND
别名：*IRF610
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF710
仓库库存编号：
IRF710-ND
别名：*IRF710
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 250V 2.7A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF614
仓库库存编号：
IRF614-ND
别名：*IRF614
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60A
仓库库存编号：
IRFR1N60A-ND
别名：*IRFR1N60A
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATRL
仓库库存编号：
IRFR1N60ATRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATR
仓库库存编号：
IRFR1N60ATR-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATRR
仓库库存编号：
IRFR1N60ATRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU1N60A
仓库库存编号：
IRFU1N60A-ND
别名：*IRFU1N60A
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.5A（Tc） 36W（Tc） TO-220
型号：
IRLS630A
仓库库存编号：
IRLS630A-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.6A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF4N60
仓库库存编号：
FQPF4N60-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.4A（Tc） 36W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF08N60ZG
仓库库存编号：
NDF08N60ZGOS-ND
别名：NDF08N60ZG-ND
NDF08N60ZGOS
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 10A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 620V 10A（Tc） 36W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF10N62ZG
仓库库存编号：
NDF10N62ZGOS-ND
别名：NDF10N62ZG-ND
NDF10N62ZGOS
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 36W（Tc） I-Pak
型号：
NTD5867NL-1G
仓库库存编号：
NTD5867NL-1GOS-ND
别名：NTD5867NL-1G-ND
NTD5867NL-1GOS
NTD5867NL1G
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATRRPBF
仓库库存编号：
IRFR1N60ATRRPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.4A（Tc） 36W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF08N60ZH
仓库库存编号：
NDF08N60ZH-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM120N10PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM120N10PQ56 RLGTR-ND
别名：TSM120N10PQ56 RLGTR
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM120N10PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM120N10PQ56 RLGCT-ND
别名：TSM120N10PQ56 RLGCT
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM120N10PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM120N10PQ56 RLGDKR-ND
别名：TSM120N10PQ56 RLGDKR
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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