规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 36W（Tc） DPAK
型号：
NTD5867NLT4G
仓库库存编号：
NTD5867NLT4GOSCT-ND
别名：NTD5867NLT4GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） DPAK
型号：
BUK92150-55A,118
仓库库存编号：
1727-3929-1-ND
别名：1727-3929-1
568-4281-1
568-4281-1-ND
BUK92150-55A /T3-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF610PBF
仓库库存编号：
IRF610PBF-ND
别名：*IRF610PBF
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF710PBF
仓库库存编号：
IRF710PBF-ND
别名：*IRF710PBF
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU1N60APBF
仓库库存编号：
IRFU1N60APBF-ND
别名：*IRFU1N60APBF
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 36W（Tc） TO-220F-3
型号：
FCPF260N60E
仓库库存编号：
FCPF260N60E-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF11N60F
仓库库存编号：
FCPF11N60F-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATRPBF
仓库库存编号：
IRFR1N60APBFCT-ND
别名：*IRFR1N60ATRPBF
IRFR1N60APBFCT
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF260N65FL1
仓库库存编号：
FCPF260N65FL1-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 36W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M53-60EX
仓库库存编号：
1727-2583-1-ND
别名：1727-2583-1
568-13027-1
568-13027-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 36W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M156-100EX
仓库库存编号：
1727-2572-1-ND
别名：1727-2572-1
568-13016-1
568-13016-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 36W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK7M42-60EX
仓库库存编号：
1727-2562-1-ND
别名：1727-2562-1
568-13006-1
568-13006-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） DPAK
型号：
BUK72150-55A,118
仓库库存编号：
1727-7151-1-ND
别名：1727-7151-1
568-9634-1
568-9634-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名：IPD220N06L3GBTMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N06S4L23ATMA2
仓库库存编号：
IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
别名：IPD30N06S4L23ATMA2CT
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK8R2A06PL,S4X
仓库库存编号：
TK8R2A06PLS4X-ND
别名：TK8R2A06PL,S4X(S
TK8R2A06PLS4X
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK3R1A04PL,S4X
仓库库存编号：
TK3R1A04PLS4X-ND
别名：TK3R1A04PL,S4X(S
TK3R1A04PLS4X
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：表面贴装 N 沟道 68A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK4R3A06PL,S4X
仓库库存编号：
TK4R3A06PLS4X-ND
别名：TK4R3A06PL,S4X(S
TK4R3A06PLS4X
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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IXYS
250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） TO-220
型号：
IXFP30N25X3M
仓库库存编号：
IXFP30N25X3M-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP60N25X3M
仓库库存编号：
IXFP60N25X3M-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Ta） 36W（Tc） ATPAK
型号：
NVATS4A101PZT4G
仓库库存编号：
NVATS4A101PZT4G-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHFR1N60A-GE3
仓库库存编号：
SIHFR1N60A-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 36W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF12N30
仓库库存编号：
785-1385-5-ND
别名：785-1385-5
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATRLPBF
仓库库存编号：
IRFR1N60ATRLPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 250V 2.7A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF614PBF
仓库库存编号：
IRF614PBF-ND
别名：*IRF614PBF
规格：功率耗散（最大值） 36W（Tc）,
无铅
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