以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），50A（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03ST
  仓库库存编号：BSC042N03ST-ND
  别名：SP000014715
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta），89A（Tc） P-TDSON-8
  
  型号：BSC059N03ST
  仓库库存编号：BSC059N03ST-ND
  别名：SP000014717
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V
  
  型号：IRFL4310PBF
  仓库库存编号：IRFL4310PBFCT-ND
  别名：64-8037PBFCT
  64-8037PBFCT-ND
  648037PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 32A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 32A（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9237-55,118
  仓库库存编号：BUK9237-55,118-ND
  别名：934054956118
  BUK9237-55 /T3
  BUK9237-55 /T3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP47NQ10T,127
  仓库库存编号：PHP47NQ10T,127-ND
  别名：934056744127
  PHP47NQ10T
  PHP47NQ10T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN004-60P,127
  仓库库存编号：PSMN004-60P,127-ND
  别名：934057040127
  PSMN004-60P
  PSMN004-60P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  DIODE BAND-SWITCHING SOD110
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA SOD110
  
  型号：BA792,115
  仓库库存编号：BA792,115-ND
  别名：934025520115
  BA792 T/R
  BA792 T/R-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 50V 50MA SOD-323
  详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 50mA PG-SOD323-2
  
  型号：BA 595 B6327
  仓库库存编号：BA 595 B6327-ND
  别名：BA595B6327XT
  SP000095921
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23
  详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 50mA PG-SOT23-3
  
  型号：BA 779 E6327
  仓库库存编号：BA 779 E6327-ND
  别名：BA779E6327XT
  SP000010152
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA TSLP-2
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA TSLP-2-1
  
  型号：BA 892-02L E6327
  仓库库存编号：BA 892-02L E6327-ND
  别名：BA89202LE6327XT
  SP000013535
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA SC-79
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SC79-2
  
  型号：BA 892-02V E6127
  仓库库存编号：BA 892-02V E6127-ND
  别名：BA89202VE6127XT
  SP000104706
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA SC-79
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SC79-2
  
  型号：BA 892-02V E6327
  仓库库存编号：BA 892-02V E6327-ND
  别名：BA89202VE6327XT
  SP000013174
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA SC-79
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SC79-2
  
  型号：BA 892-02V E6433
  仓库库存编号：BA 892-02V E6433-ND
  别名：BA89202VE6433XT
  SP000013175
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
  
  型号：BA 892 E6127
  仓库库存编号：BA 892 E6127-ND
  别名：BA892E6127XT
  SP000104705
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
  
  型号：BA 892 E6327
  仓库库存编号：BA 892 E6327-ND
  别名：BA892E6327XT
  SP000010154
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
  
  型号：BA 892 E6433
  仓库库存编号：BA 892 E6433-ND
  别名：BA892E6433XT
  SP000010158
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
  
  型号：BA 892 L6327
  仓库库存编号：BA 892 L6327-ND
  别名：BA892L6327XT
  SP000014718
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 50V 50MA SCD-80
  详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 50mA PG-SCD80-2
  
  型号：BA 895 E6327
  仓库库存编号：BA 895 E6327-ND
  别名：BA895E6327XT
  SP000012458
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS110NKSA1
  仓库库存编号：BTS110NKSA1-ND
  别名：BTS110
  BTS110-ND
  SP000011184
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS110E3045ANTMA1
  仓库库存编号：BTS110E3045ANTMA1TR-ND
  别名：BTS110 E3045A
  BTS110 E3045A-ND
  BTS110E3045AT
  SP000011183
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 PG-TO-220-3
  
  型号：IPP21N03L G
  仓库库存编号：IPP21N03L G-ND
  别名：IPP21N03LGX
  IPP21N03LGXK
  SP000065079
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Ta） PG-TO251-3
  
  型号：IPS20N03L G
  仓库库存编号：IPS20N03L G-ND
  别名：IPS20N03LGX
  IPS20N03LGXK
  SP000064380
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-23
  仓库库存编号：SPD30N06S2-23-ND
  别名：SP000013596
  SPD30N06S223T
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Ta） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N08S2-07
  仓库库存编号：SPI100N08S2-07-ND
  别名：SP000055687
  SPI100N08S207
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.6A（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU18P06P
  仓库库存编号：SPU18P06PIN-ND
  别名：SP000012303
  SPU18P06P-ND
  SPU18P06PIN
  SPU18P06PX
  SPU18P06PXK
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
• 搜索