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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 21A 8DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6403
仓库库存编号：
785-1339-1-ND
别名：785-1339-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），71.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA02DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA02DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA02DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18532Q5B
仓库库存编号：
296-35628-1-ND
别名：296-35628-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 113W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL220N3LLH7
仓库库存编号：
497-14968-1-ND
别名：497-14968-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE874DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE874DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE874DF-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N03L G
仓库库存编号：
IPD135N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD135N03L GCT
IPD135N03L GCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ088N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ088N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ088N03LSGINCT
BSZ088N03LSGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB080N03L G
仓库库存编号：
IPB080N03L GCT-ND
别名：IPB080N03L GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0902NS
仓库库存编号：
BSC0902NSCT-ND
别名：BSC0902NSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD031N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINCT-ND
IPD031N03LGINCT
IPD031N03LGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU039N03LGXK
仓库库存编号：
IPU039N03LGXK-ND
别名：IPU039N03L G
IPU039N03LGIN
IPU039N03LGIN-ND
SP000256162
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB034N03L G
仓库库存编号：
IPB034N03LGINCT-ND
别名：IPB034N03LGINCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） P-DSO-8
型号：
BSO080P03S H
仓库库存编号：
BSO080P03S HCT-ND
别名：BSO080P03S HCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta），30A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC080P03LS G
仓库库存编号：
BSC080P03LS GCT-ND
别名：BSC080P03LS GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），55A（Tc） 1.4W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6623
仓库库存编号：
IRF6623CT-ND
别名：*IRF6623
IRF6623CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA483DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA483DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA483DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 3.3A U-DFN2020
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 700mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMP4047LFDE-7
仓库库存编号：
DMP4047LFDE-7DICT-ND
别名：DMP4047LFDE-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），93A（Tc） 930mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4935NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4935NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4935NT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS434DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS434DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS434DN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7613DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7613DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7613DN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4630DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4630DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4630DY-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 22A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD508
仓库库存编号：
785-1355-1-ND
别名：785-1355-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 20A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），105A（Tc） 1.9W（Ta），176W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB240L
仓库库存编号：
785-1324-1-ND
别名：785-1324-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），28A（Tc） 5W（Ta），24W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6558
仓库库存编号：
785-1670-1-ND
别名：785-1670-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 48W, 100W Surface Mount 8-PowerPair?
型号：
SIZ910DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ910DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ910DT-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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邮箱：
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