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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC016N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC016N03LS GCT
BSC016N03LS GCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014N03LS G
仓库库存编号：
BSC014N03LS GCT-ND
别名：BSC014N03LS GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），106A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF024N03LT3GXUMA1
仓库库存编号：
BSF024N03LT3GXUMA1CT-ND
别名：BSF024N03LT3 GCT
BSF024N03LT3 GCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS
仓库库存编号：
BSC009NE2LSCT-ND
别名：BSC009NE2LSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），55A（Tc） 1.4W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6623TRPBF
仓库库存编号：
IRF6623TRPBFCT-ND
别名：IRF6623TRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） PG-HSOF-8-1
型号：
IPT004N03LATMA1
仓库库存编号：
IPT004N03LATMA1CT-ND
别名：IPT004N03LATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Ta） 200W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18542KCS
仓库库存编号：
296-42271-5-ND
别名：296-42271-5
CSD18542KCS-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 20A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），85A（Tc） 1.9W（Ta），41W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF240L
仓库库存编号：
785-1384-5-ND
别名：785-1384-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP055N03LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP055N03LGXKSA1-ND
别名：IPP055N03L G
IPP055N03LGIN
IPP055N03LGIN-ND
IPP055N03LGXK
SP000680806
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta），349A（Tc） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD18536KTTT
仓库库存编号：
296-44122-1-ND
别名：296-44122-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 900mW（Ta） SOT-26
型号：
DMN3051LDM-7
仓库库存编号：
DMN3051LDM-7DICT-ND
别名：DMN3051LDM-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.9A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Ta），38A（Tc） 920mW（Ta），20.8W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4927NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4927NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4927NT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta），3.6A（Tc） 1.1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2304DDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2304DDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2304DDS-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4578
仓库库存编号：
785-1658-1-ND
别名：785-1658-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），30A（Tc） 4.2W（Ta），24W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
型号：
AON7538
仓库库存编号：
785-1679-1-ND
别名：785-1679-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），32A（Tc） 5W（Ta），46W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6510
仓库库存编号：
785-1691-1-ND
别名：785-1691-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），47A（Tc） 910mW（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4941NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4941NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4941NT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4554DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4554DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4554DY-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 26A 3.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
型号：
AON6994
仓库库存编号：
785-1748-1-ND
别名：785-1748-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8-DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 20A, 28A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6978
仓库库存编号：
785-1632-1-ND
别名：785-1632-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP042N03LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP042N03LGXKSA1-ND
别名：IPP042N03L G
IPP042N03LG
IPP042N03LGIN
IPP042N03LGIN-ND
IPP042N03LGXK
SP000680792
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4670DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4670DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4670DY-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS452DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS452DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS452DN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP034N03LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP034N03LGXKSA1-ND
别名：IPP034N03L G
IPP034N03LGIN
IPP034N03LGIN-ND
IPP034N03LGXK
SP000680772
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR166DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR166DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR166DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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