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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ058N03LS G
仓库库存编号：
BSZ058N03LSGINCT-ND
别名：BSZ058N03LSGINCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB065N03L G
仓库库存编号：
IPB065N03LGINCT-ND
别名：IPB065N03LGINCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V S308
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ0901NS
仓库库存编号：
BSZ0901NSCT-ND
别名：BSZ0901NSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ790DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ790DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ790DT-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ710DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ710DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ710DT-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 600mW（Ta） S-Mini
型号：
SSM3J353F,LF
仓库库存编号：
SSM3J353FLFCT-ND
别名：SSM3J353FLFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 26.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA96DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA96DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA96DN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 20A（Tc） 66W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM480P06CP ROG
仓库库存编号：
TSM480P06CP ROGTR-ND
别名：TSM480P06CP ROGTR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 20A（Tc） 66W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM480P06CP ROG
仓库库存编号：
TSM480P06CP ROGCT-ND
别名：TSM480P06CP ROGCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 20A（Tc） 66W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM480P06CP ROG
仓库库存编号：
TSM480P06CP ROGDKR-ND
别名：TSM480P06CP ROGDKR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 12A SC-70
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA441DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA441DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA441DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR644DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR644DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR644DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ730DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ730DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ730DT-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA60DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA60DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA60DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAIR? 6x5F
型号：
SIZF906DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZF906DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZF906DT-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta），41A（Tc） 910mW（Ta），22.3W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4943NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4943NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4943NT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 980mW（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMS3016SFG-7
仓库库存编号：
DMS3016SFG-7DICT-ND
别名：DMS3016SFG-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC079N03LSCGATMA1
仓库库存编号：
BSC079N03LSCGATMA1CT-ND
别名：BSC079N03LSCGATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC883N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC883N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC883N03LS GCT
BSC883N03LS GCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道
型号：
BSC882N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC882N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC882N03LSGATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC034N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC034N03LSGATMA1TR-ND
别名：BSC034N03LS G
BSC034N03LS G-ND
SP000475948
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD18541F5
仓库库存编号：
296-44374-1-ND
别名：296-44374-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMS3014SFG-7
仓库库存编号：
DMS3014SFG-7DICT-ND
别名：DMS3014SFG-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.4A（Ta） 1.55W（Ta） 8-SO
型号：
DMS3014SSS-13
仓库库存编号：
DMS3014SSS-13DICT-ND
别名：DMS3014SSS-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6J507NU,LF
仓库库存编号：
SSM6J507NULFCT-ND
别名：SSM6J507NULFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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