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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N03M G
  仓库库存编号：IPD031N03M GINCT-ND
  别名：IPD031N03M GINCT
  IPD031N03MG
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB019N03LX G
  仓库库存编号：BSB019N03LX G-ND
  别名：SP000597826
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），145A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB024N03LX G
  仓库库存编号：BSB024N03LX G-ND
  别名：SP000597838
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB053N03LP G
  仓库库存编号：BSB053N03LP G-ND
  别名：SP000597830
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF053N03LT G
  仓库库存编号：BSF053N03LT G-ND
  别名：SP000597832
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF083N03LQ G
  仓库库存编号：BSF083N03LQ G-ND
  别名：SP000597834
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8113GTRPBF
  仓库库存编号：IRF8113GTRPBFCT-ND
  别名：IRF8113GTRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 16A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MP
  
  型号：IRF6633TR1
  仓库库存编号：IRF6633TR1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 14A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0908NSATMA1
  仓库库存编号：BSC0908NSATMA1CT-ND
  别名：BSC0908NSCT
  BSC0908NSCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC889N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC889N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC889N03LS GCT
  BSC889N03LS GCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 39A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB012N03LX3 G
  仓库库存编号：BSB012N03LX3 GCT-ND
  别名：BSB012N03LX3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），147A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB017N03LX3 G
  仓库库存编号：BSB017N03LX3 GCT-ND
  别名：BSB017N03LX3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF050N03LQ3GXUMA1
  仓库库存编号：BSF050N03LQ3GXUMA1CT-ND
  别名：BSF050N03LQ3 GCT
  BSF050N03LQ3 GCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP034N03LGHKSA1
  仓库库存编号：IPP034N03LGHKSA1-ND
  别名：SP000237660
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS040N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS040N03LGAKMA1-ND
  别名：SP000810846
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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