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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N03LGXT
仓库库存编号：
IPD135N03LGXTCT-ND
别名：IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 16A（Ta），69A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MU
型号：
IRF6633ATR1PBF
仓库库存编号：
IRF6633ATR1PBFCT-ND
别名：IRF6633ATR1PBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP096N03L G
仓库库存编号：
IPP096N03LGIN-ND
别名：IPP096N03LGIN
IPP096N03LGXK
SP000254737
SP000680854
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 38W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP114N03L G
仓库库存编号：
IPP114N03LGIN-ND
别名：IPP114N03LGIN
IPP114N03LGXK
SP000264168
SP000680862
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP147N03L G
仓库库存编号：
IPP147N03LGIN-ND
别名：IPP147N03LGIN
IPP147N03LGXK
SP000266315
SP000680874
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS031N03L G
仓库库存编号：
IPS031N03LGIN-ND
别名：IPS031N03LGIN
IPS031N03LGXK
SP000256160
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS050N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS050N03LGAKMA1-ND
别名：IPS050N03L G
IPS050N03LGIN
IPS050N03LGIN-ND
IPS050N03LGXK
SP000810848
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS060N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS060N03LGAKMA1-ND
别名：IPS060N03L G
IPS060N03LGIN
IPS060N03LGIN-ND
IPS060N03LGXK
SP000705724
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS090N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS090N03LGAKMA1-ND
别名：IPS090N03L G
IPS090N03LGIN
IPS090N03LGIN-ND
IPS090N03LGXK
SP000788216
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS105N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS105N03LGAKMA1-ND
别名：IPS105N03L G
IPS105N03LG
IPS105N03LGIN
IPS105N03LGIN-ND
IPS105N03LGXK
SP000264172
SP000788218
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS135N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS135N03LGAKMA1-ND
别名：IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGIN-ND
IPS135N03LGXK
SP000257455
SP000788220
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU050N03L G
仓库库存编号：
IPU050N03LGIN-ND
别名：IPU050N03LGIN
IPU050N03LGXK
SP000271468
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU060N03L G
仓库库存编号：
IPU060N03LGIN-ND
别名：IPU060N03LGIN
IPU060N03LGXK
SP000260749
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU090N03L G
仓库库存编号：
IPU090N03LGIN-ND
别名：IPU090N03LGIN
IPU090N03LGXK
SP000260751
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU105N03L G
仓库库存编号：
IPU105N03LGIN-ND
别名：IPU105N03LGIN
IPU105N03LGXK
SP000271466
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU135N03L G
仓库库存编号：
IPU135N03LGIN-ND
别名：IPU135N03LGIN
IPU135N03LGXK
SP000260752
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB096N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB096N03LGATMA1CT-ND
别名：IPB096N03LGINCT
IPB096N03LGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），63A（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF045N03MQ3 G
仓库库存编号：
BSF045N03MQ3 G-ND
别名：SP000458790
SP000597844
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB114N03L G
仓库库存编号：
IPB114N03L G-ND
别名：SP000304102
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB147N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB147N03LGATMA1TR-ND
别名：IPB147N03L G
IPB147N03L G-ND
SP000254712
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP080N03L G
仓库库存编号：
IPP080N03L G-ND
别名：SP000264166
SP000680836
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS075N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS075N03LGAKMA1-ND
别名：IPS075N03L G
IPS075N03L G-ND
IPS075N03LG
SP000705726
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU075N03L G
仓库库存编号：
IPU075N03L G-ND
别名：SP000271467
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03SNTMA1
仓库库存编号：
BSO080P03SNTMA1CT-ND
别名：BSO080P03SINCT
BSO080P03SINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
含铅
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