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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB10N03LB
仓库库存编号:
IPB10N03LB-ND
别名:IPB10N03LBT
SP000064220
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB10N03LB G
仓库库存编号:
IPB10N03LB G-ND
别名:IPB10N03LBGXT
SP000103305
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA
仓库库存编号:
IPB11N03LA-ND
别名:IPB11N03LAT
SP000014987
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA G
仓库库存编号:
IPB11N03LA G-ND
别名:IPB11N03LAGXT
SP000103306
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB13N03LB
仓库库存编号:
IPB13N03LB-ND
别名:IPB13N03LBT
SP000064218
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB14N03LA G
仓库库存编号:
IPB14N03LA G-ND
别名:IPB14N03LAGXT
SP000085264
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD09N03LB G
仓库库存编号:
IPD09N03LB G-ND
别名:IPD09N03LBGXT
SP000016412
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA
仓库库存编号:
IPD10N03LA-ND
别名:IPD10N03LAT
SP000014983
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA G
仓库库存编号:
IPD10N03LA G-ND
别名:IPD10N03LAGXT
SP000017602
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF09N03LA
仓库库存编号:
IPF09N03LA-ND
别名:IPF09N03LAT
SP000014623
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF09N03LA G
仓库库存编号:
IPF09N03LA G-ND
别名:IPF09N03LAGXT
SP000017608
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF10N03LA
仓库库存编号:
IPF10N03LA-ND
别名:IPF10N03LAT
SP000014985
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF10N03LA G
仓库库存编号:
IPF10N03LA G-ND
别名:IPF10N03LAGXT
SP000017609
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI09N03LA
仓库库存编号:
IPI09N03LA-ND
别名:IPI09N03LAX
SP000014032
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI11N03LA
仓库库存编号:
IPI11N03LA-ND
别名:IPI11N03LAX
SP000014988
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI14N03LA
仓库库存编号:
IPI14N03LA-ND
别名:IPI14N03LAX
SP000014029
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP10N03LB G
仓库库存编号:
IPP10N03LBGIN-ND
别名:IPP10N03LB G-ND
IPP10N03LBGIN
IPP10N03LBGX
IPP10N03LBGXK
SP000064222
SP000680860
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP11N03LA
仓库库存编号:
IPP11N03LA-ND
别名:IPP11N03LAX
SP000014986
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP13N03LB G
仓库库存编号:
IPP13N03LB G-ND
别名:IPP13N03LBGX
SP000064224
SP000680872
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS09N03LA G
仓库库存编号:
IPS09N03LA G-ND
别名:IPS09N03LAGX
SP000015131
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS09N03LB G
仓库库存编号:
IPS09N03LB G-ND
别名:IPS09N03LBGX
IPS09N03LBGXK
SP000220142
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MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS10N03LA G
仓库库存编号:
IPS10N03LA G-ND
别名:IPS10N03LAGX
SP000015132
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
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MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS13N03LA G
仓库库存编号:
IPS13N03LA G-ND
别名:IPS13N03LAGX
SP000015133
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU09N03LB G
仓库库存编号:
IPU09N03LB G-ND
别名:IPU09N03LBGX
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MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU10N03LA
仓库库存编号:
IPU10N03LA-ND
别名:SP000014984
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
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