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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 3.3W（Ta），33W（Tc） TO-252
型号：
FDD6530A
仓库库存编号：
FDD6530ACT-ND
别名：FDD6530ACT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A 500mW Surface Mount 6-WLCSP (1.3x2.3)
型号：
FDZ1323NZ
仓库库存编号：
FDZ1323NZCT-ND
别名：FDZ1323NZCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号：
CSD87334Q3DT
仓库库存编号：
296-42468-1-ND
别名：296-42468-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.8A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS10P02R2G
仓库库存编号：
NTMS10P02R2GOSCT-ND
别名：NTMS10P02R2GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2502GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML2502GTRPBFCT-ND
别名：IRLML2502GTRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7607TRPBF
仓库库存编号：
IRF7607TRPBFCT-ND
别名：IRF7607TRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7331TRPBF
仓库库存编号：
IRF7331PBFCT-ND
别名：*IRF7331TRPBF
IRF7331PBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7425TRPBF
仓库库存编号：
IRF7425TRPBFCT-ND
别名：IRF7425TRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD23381F4T
仓库库存编号：
296-37782-1-ND
别名：296-37782-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
型号：
DMN5L06TK-7
仓库库存编号：
DMN5L06TKDICT-ND
别名：DMN5L06TKDICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot?
型号：
SI8447DB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8447DB-T2-E1CT-ND
别名：SI8447DB-T2-E1CT
SI8447DBT2E1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 1.25W（Ta） SC-59-3
型号：
DMP2066LSN-7
仓库库存编号：
DMP2066LSNDICT-ND
别名：DMP2066LSNDICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET?
型号：
NTHD3100CT1G
仓库库存编号：
NTHD3100CT1GOSCT-ND
别名：NTHD3100CT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-WLCSP（0.80x0.80）
型号：
FDZ663P
仓库库存编号：
FDZ663PCT-ND
别名：FDZ663PCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23F
型号：
CMPDM303NH TR
仓库库存编号：
CMPDM303NH CT-ND
别名：CMPDM303NH CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 220mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
型号：
BSS138K
仓库库存编号：
BSS138KCT-ND
别名：BSS138KCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 880mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NTJD4152PT1G
仓库库存编号：
NTJD4152PT1GOSCT-ND
别名：NTJD4152PT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Tj） 313mW（Tj） SC-89-3
型号：
NTE4151PT1G
仓库库存编号：
NTE4151PT1GOSCT-ND
别名：NTE4151PT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 1W（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NTJS4151PT1G
仓库库存编号：
NTJS4151PT1GOSCT-ND
别名：NTJS4151PT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 P 沟道 780mW（Ta），1.8W（Tc） 4-Microfoot
型号：
SI8489EDB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8489EDB-T2-E1CT-ND
别名：SI8489EDB-T2-E1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC70
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA459EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA459EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA459EDJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.92A 730mW Surface Mount 8-SOIC
型号：
NTMD6N02R2G
仓库库存编号：
NTMD6N02R2GOSCT-ND
别名：NTMD6N02R2GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号：
CSD87333Q3D
仓库库存编号：
296-37535-1-ND
别名：296-37535-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号：
CSD87333Q3DT
仓库库存编号：
296-37794-1-ND
别名：296-37794-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3446T1G
仓库库存编号：
NTGS3446T1GOSCT-ND
别名：NTGS3446T1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA,
无铅
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