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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 150mW（Ta） USM
型号：
SSM3K7002CFU,LF
仓库库存编号：
SSM3K7002CFULFCT-ND
别名：SSM3K7002CFULFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.4A
详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Ta） 500mW（Ta） CST3
型号：
SSM3K72KCT,L3F
仓库库存编号：
SSM3K72KCTL3FCT-ND
别名：SSM3K72KCTL3FCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.9A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
型号：
DMP3065LVT-7
仓库库存编号：
DMP3065LVT-7DICT-ND
别名：DMP3065LVT-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-26
型号：
DMP3056LDM-7
仓库库存编号：
DMP3056LDMDICT-ND
别名：DMP3056LDMDICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMN3018SFG-7
仓库库存编号：
DMN3018SFG-7DICT-ND
别名：DMN3018SFG-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.1A, 7A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
DMC3032LSD-13
仓库库存编号：
DMC3032LSD-13DICT-ND
别名：DMC3032LSD-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
型号：
DMN3033LDM-7
仓库库存编号：
DMN3033LDM-7DICT-ND
别名：DMN3033LDM-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.4W（Ta） SC-59
型号：
DMN3033LSNQ-7
仓库库存编号：
DMN3033LSNQ-7DICT-ND
别名：DMN3033LSNQ-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.08W（Ta） SOT-23-3
型号：
DMP3160L-7
仓库库存编号：
DMP3160LDICT-ND
别名：DMP3160LDICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.5A, 7A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
DMC3021LSDQ-13
仓库库存编号：
DMC3021LSDQ-13DICT-ND
别名：DMC3021LSDQ-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.4A 1.8W Surface Mount 8-SOP
型号：
DMP3098LSD-13
仓库库存编号：
DMP3098LSD-13DICT-ND
别名：DMP3098LSD-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 45A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 13.2A（Ta） 1.29W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP3012LPS-13
仓库库存编号：
DMP3012LPS-13DICT-ND
别名：DMP3012LPS-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
DMN3007LSS-13
仓库库存编号：
DMN3007LSSDICT-ND
别名：DMN3007LSSDICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 56W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ486EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ486EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ486EP-T1_GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），81A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16404Q5A
仓库库存编号：
296-24250-1-ND
别名：296-24250-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 36A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Ta） 2.18W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP3010LPSQ-13
仓库库存编号：
DMP3010LPSQ-13DICT-ND
别名：DMP3010LPSQ-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 49A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 44W（Tc） DPAK
型号：
NVD5C668NLT4G
仓库库存编号：
NVD5C668NLT4GOSCT-ND
别名：NVD5C668NLT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），113A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16408Q5C
仓库库存编号：
296-25647-1-ND
别名：296-25647-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），113A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16408Q5
仓库库存编号：
296-25321-1-ND
别名：296-25321-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 50A 13W Surface Mount 8-LSON (5x6)
型号：
CSD86360Q5D
仓库库存编号：
296-35026-1-ND
别名：296-35026-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
NTMFD4C85NT1G
仓库库存编号：
NTMFD4C85NT1GOSCT-ND
别名：NTMFD4C85NT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V SC-70
详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） SOT-323-3
型号：
NX7002BKWX
仓库库存编号：
568-13170-1-ND
别名：568-13170-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） 6-TSSOP
型号：
NX7002BKSX
仓库库存编号：
1727-2664-1-ND
别名：1727-2664-1
568-13169-1
568-13169-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 330mA, 170mA 500mW Surface Mount SOT-666
型号：
NX1029X,115
仓库库存编号：
1727-1277-1-ND
别名：1727-1277-1
568-10494-1
568-10494-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 350mW（Ta），3.1W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
NX7002BKMBYL
仓库库存编号：
1727-2231-1-ND
别名：1727-2231-1
568-12499-1
568-12499-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA,
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