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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.5A（Ta），65A（Tc） 1.63W（Ta），22.73W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4985NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4985NFT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 48A（Ta） 1.6W（Ta），63W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8056-H,LQ(M
  仓库库存编号：TPCA8056-HLQ(M-ND
  别名：TPCA8056-HLQ(M
  TPCA8056HLQM
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Ta） 1.6W（Ta），70W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8055-H,LQ(M
  仓库库存编号：TPCA8055-HLQ(M-ND
  别名：TPCA8055-HLQ(M
  TPCA8055HLQM
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4965NFT3G
  仓库库存编号：NTMFS4965NFT3G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2160H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2160H-EL-E-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4965NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4965NFT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 25A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8016-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8016HTE12LQMDKR-ND
  别名：TPCA8016HTE12LQDKR
  TPCA8016HTE12LQDKR-ND
  TPCA8016HTE12LQM
  TPCA8016HTE12LQMDKR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Ta） 140W（Tc） TO-220（W）
  
  型号：TK55D10J1(Q)
  仓库库存编号：TK55D10J1(Q)-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 60A（Ta） 140W（Tc） TO-220（W）
  
  型号：TK60D08J1(Q)
  仓库库存编号：TK60D08J1(Q)-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 70A（Ta） 45W（Tc） TO-220（W）
  
  型号：TK70D06J1(Q)
  仓库库存编号：TK70D06J1(Q)-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6006-H(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPC6006-H(TE85L,F)-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8018-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8018-H(TE12LQM)-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8021-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8021-H(TE12LQ,M-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7.5A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8022-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8022-H(TE12LQ,M-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8A02-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8A02-H(TE12L,Q)-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8003-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8003-H(TE12LQM-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8005-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8005-H(TE12LQM-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8021-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8021-H(TE12LQM-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A01-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8A01-H(TE12L,Q-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.2A（Ta） 1W（Ta），30W（Tc） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8001-H(TE85LFM
  仓库库存编号：TPCP8001-H(TE85LFM-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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  MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  
  型号：TPC8212-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8212-H(TE12LQ,M-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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  MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  
  型号：TPC8213-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8213-H(TE12LQ,M-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8036-H(TE12L,QM
  仓库库存编号：TPC8036-H(TE12L,QM-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 34A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A02-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8A02-H(TE12LQM-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Ta） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A04-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8A04-H(TE12L,Q-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA,
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