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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.5A 1.19W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMG4932LSD-13
  仓库库存编号：DMG4932LSD-13DICT-ND
  别名：DMG4932LSD-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 37.8A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37.8A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA468DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA468DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA468DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 7A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4616
  仓库库存编号：785-1043-1-ND
  别名：785-1043-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 89A（Tc） 74W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18514Q5AT
  仓库库存编号：296-45232-1-ND
  别名：296-45232-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：ZXMC10A816N8TC
  仓库库存编号：ZXMC10A816N8DICT-ND
  别名：ZXMC10A816N8DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25.4A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4160DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4160DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4160DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR818DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR818DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR818DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5853NLT1G
  仓库库存编号：NVMFD5853NLT1GOSCT-ND
  别名：NVMFD5853NLT1GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.5A（Tc） 3W（Ta），6.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4166DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4166DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4166DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 78W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6144
  仓库库存编号：800-3746-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4260
  仓库库存编号：785-1463-1-ND
  别名：785-1463-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18563Q5AT
  仓库库存编号：296-37748-1-ND
  别名：296-37748-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair?
  
  型号：SIZ914DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ914DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ914DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL60S216
  仓库库存编号：IRL60S216CT-ND
  别名：IRL60S216CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 40V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRLS8409-7P
  仓库库存编号：AUIRLS8409-7P-ND
  别名：SP001521838
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL60SL216
  仓库库存编号：IRL60SL216-ND
  别名：IRL60SL216 -ND
  SP001558100
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 260mW（Ta） SOT-323-3
  
  型号：2N7002PW,115
  仓库库存编号：1727-4793-1-ND
  别名：1727-4793-1
  568-5987-1
  568-5987-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 330mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：2N7002PV,115
  仓库库存编号：1727-4792-1-ND
  别名：1727-4792-1
  568-5986-1
  568-5986-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2703TRPBF
  仓库库存编号：IRLL2703TRPBFCT-ND
  别名：IRLL2703TRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 478A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRL40SC209
  仓库库存编号：IRL40SC209CT-ND
  别名：IRL40SC209CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta），279A（Tc） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD18535KTTT
  仓库库存编号：296-44121-1-ND
  别名：296-44121-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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  含铅
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• Texas Instruments
  40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 124A（Tc） 96W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18513Q5AT
  仓库库存编号：296-45231-1-ND
  别名：296-45231-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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  不受无铅要求限制
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
  
  型号：SI5997DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5997DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5997DU-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4411
  仓库库存编号：785-1284-1-ND
  别名：785-1284-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 11A, 28A 16.7W, 31W Surface Mount 8-PowerPair?
  
  型号：SIZ300DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ300DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ300DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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