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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW42N65M5
仓库库存编号：
497-8796-5-ND
别名：497-8796-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS38N20DTRLP
仓库库存编号：
IRFS38N20DTRLPCT-ND
别名：IRFS38N20DTRLPCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB38N20DPBF
仓库库存编号：
IRFB38N20DPBF-ND
别名：*IRFB38N20DPBF
SP001556010
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA9N90C_F109
仓库库存编号：
FQA9N90C_F109-ND
别名：FQA9N90CF109
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 245W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA33N25
仓库库存编号：
FDA33N25-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4229PBF
仓库库存编号：
IRFP4229PBF-ND
别名：SP001578046
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 200V 26A, 17A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMP26-02P
仓库库存编号：
FMP26-02P-ND
别名：FMP2602P
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD12N50DM2
仓库库存编号：
497-16347-1-ND
别名：497-16347-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 8.35W（Ta） ITO-220AB
型号：
DMG4N65CTI
仓库库存编号：
DMG4N65CTIDI-ND
别名：DMG4N65CTIDI
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.19W（Ta） TO-220-3
型号：
DMG4N65CT
仓库库存编号：
DMG4N65CTDI-ND
别名：DMG4N65CTDI
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK
详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF5N50D-E3
仓库库存编号：
SIHF5N50D-E3-ND
别名：SIHF5N50D-E3CT
SIHF5N50D-E3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP8N50NZ
仓库库存编号：
FDP8N50NZ-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 13W（Tc） ITO-220AB
型号：
DMG9N65CTI
仓库库存编号：
DMG9N65CTIDI-ND
别名：DMG9N65CTIDI
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252
型号：
IXTY2N65X2
仓库库存编号：
IXTY2N65X2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
IXTP8N65X2
仓库库存编号：
IXTP8N65X2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-252
型号：
IXTY4N65X2
仓库库存编号：
IXTY4N65X2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-220
型号：
IXTP2N65X2
仓库库存编号：
IXTP2N65X2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF8N65M5
仓库库存编号：
497-11398-5-ND
别名：497-11398-5
STF8N65M5-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 3.8W（Ta），230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB52N15DPBF
仓库库存编号：
IRFB52N15DPBF-ND
别名：*IRFB52N15DPBF
SP001572332
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 312W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG22N50D-GE3
仓库库存编号：
SIHG22N50D-GE3-ND
别名：SIHG22N50DGE3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 660W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH52N65X
仓库库存编号：
IXTH52N65X-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 50A
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-247
型号：
STW58N60DM2AG
仓库库存编号：
497-16131-5-ND
别名：497-16131-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP.,
详细描述：底座安装 N 沟道 130A（Tc） 672W（Tc） ISOTOP
型号：
STE139N65M5
仓库库存编号：
497-16942-ND
别名：497-16942
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N60ECP ROG
仓库库存编号：
TSM2N60ECP ROGTR-ND
别名：TSM2N60ECP ROGTR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N60ECP ROG
仓库库存编号：
TSM2N60ECP ROGCT-ND
别名：TSM2N60ECP ROGCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA,
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