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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW20N60CFDFKSA1
  仓库库存编号：SPW20N60CFDFKSA1-ND
  别名：SP000014535
  SPW20N60CFD
  SPW20N60CFD-ND
  SPW20N60CFDIN
  SPW20N60CFDIN-ND
  SPW20N60CFDX
  SPW20N60CFDXK
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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  无铅
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 7A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220D-A1
  
  型号：2SK3044
  仓库库存编号：2SK3044-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
• 含铅
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220D-A1
  
  型号：2SK3047
  仓库库存编号：2SK3047-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.8A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8012-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8012-HQDKR-ND
  别名：TPC8012-HDKR
  TPC8012-HDKR-ND
  TPC8012-HQDKR
  TPC8012HTE12LQ
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8007-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8007HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8007HTE12LQ
  TPCA8007HTE12LQCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 4A（Tc） 139W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT1003RKLLG
  仓库库存编号：APT1003RKLLG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 3.5A（Tc） 135W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT1204R7KFLLG
  仓库库存编号：APT1204R7KFLLG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT28F60B
  仓库库存编号：APT28F60B-ND
  别名：APT28F60BMI
  APT28F60BMI-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 34A（Tc） 624W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT34F60BG
  仓库库存编号：APT34F60BG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 5A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT4M120K
  仓库库存编号：APT4M120K-ND
  别名：APT4M120KMI
  APT4M120KMI-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 27A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5018BLLG
  仓库库存编号：APT5018BLLG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 31A（Tc） 403W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT5518BFLLG
  仓库库存编号：APT5518BFLLG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 6A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT6M100K
  仓库库存编号：APT6M100K-ND
  别名：APT6M100KMI
  APT6M100KMI-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 200W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFI7N80P
  仓库库存编号：IXFI7N80P-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM100H80FT1G
  仓库库存编号：APTM100H80FT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 25A 208W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM50A15FT1G
  仓库库存编号：APTM50A15FT1G-ND
  别名：APTM50A15UT1G
  APTM50A15UT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM60A23FT1G
  仓库库存编号：APTM60A23FT1G-ND
  别名：APTM60A23UT1G
  APTM60A23UT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 10A（Ta） 65W（Tc） TO-220FL
  
  型号：2SK3309(Q)
  仓库库存编号：2SK3309(Q)-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 10A（Ta） 65W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK3309(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3309(TE24L,Q)-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 160A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH160N15T
  仓库库存编号：IXFH160N15T-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 102A（Tc） 455W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP102N15T
  仓库库存编号：IXTP102N15T-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 102A（Tc） 455W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ102N15T
  仓库库存编号：IXTQ102N15T-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 13A（Ta） 100W（Tc） TO-220FL
  
  型号：2SK3403(Q)
  仓库库存编号：2SK3403(Q)-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 175V 150A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH150N17T
  仓库库存编号：IXTH150N17T-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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  MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 280V 80A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ80N28T
  仓库库存编号：IXTQ80N28T-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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