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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT9M100B
仓库库存编号：
APT9M100B-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT11F80B
仓库库存编号：
APT11F80B-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT18F60B
仓库库存编号：
APT18F60B-ND
别名：APT18F60BMI
APT18F60BMI-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 415W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT23F60B
仓库库存编号：
APT23F60B-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 130A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH130N20T
仓库库存编号：
IXTH130N20T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV96N25T
仓库库存编号：
IXTV96N25T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 463W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N100P
仓库库存编号：
IXFH12N100P-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
型号：
APT30F50S
仓库库存编号：
APT30F50S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH160N15T
仓库库存编号：
IXTH160N15T-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT9F100B
仓库库存编号：
APT9F100B-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N120P
仓库库存编号：
IXFH6N120P-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
型号：
APT7M120S
仓库库存编号：
APT7M120S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT14M100B
仓库库存编号：
APT14M100B-ND
别名：APT14M100BMP
APT14M100BMP-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT14F100B
仓库库存编号：
APT14F100B-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
型号：
APT14M100S
仓库库存编号：
APT14M100S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 265W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT5024BLLG
仓库库存编号：
APT5024BLLG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 18A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
型号：
APT17F80S
仓库库存编号：
APT17F80S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 37A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
型号：
APT37F50S
仓库库存编号：
APT37F50S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
型号：
APT14F100S
仓库库存编号：
APT14F100S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 18A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT17F80B
仓库库存编号：
APT17F80B-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT24M80B
仓库库存编号：
APT24M80B-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT22F80S
仓库库存编号：
APT22F80S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 17A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT17F100S
仓库库存编号：
APT17F100S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT24M80S
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APT24M80S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 42A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT42F50S
仓库库存编号：
APT42F50S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA,
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