规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1220)
分立半导体产品
(1220)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(33)
Central Semiconductor Corp(1)
Diodes Incorporated(84)
Fairchild/Micross Components(419)
Fairchild/ON Semiconductor(64)
Infineon Technologies(334)
Kionix Inc.(1)
Micro Commercial Co(4)
Nexperia USA Inc.(15)
NXP USA Inc.(2)
ON Semiconductor(21)
Rohm Semiconductor(2)
Sanken(11)
STMicroelectronics(11)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Texas Instruments(8)
Vishay BC Components(14)
Vishay Beyschlag(94)
Vishay Electro-Films(45)
Vishay Huntington Electric Inc.(16)
Vishay Semiconductor Diodes Division(6)
Vishay Semiconductor Opto Division(1)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(24)
Vishay Spectrol(4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB014N04LX3 G
仓库库存编号：
BSB014N04LX3 GCT-ND
别名：BSB014N04LX3 GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU014PBF
仓库库存编号：
IRLU014PBF-ND
别名：*IRLU014PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ34NPBF
仓库库存编号：
IRLZ34NPBF-ND
别名：*IRLZ34NPBF
SP001553290
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL520NPBF
仓库库存编号：
IRL520NPBF-ND
别名：*IRL520NPBF
SP001558080
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL530NPBF
仓库库存编号：
IRL530NPBF-ND
别名：*IRL530NPBF
64-0095PBF
64-0095PBF-ND
SP001578734
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ44NPBF
仓库库存编号：
IRLZ44NPBF-ND
别名：*IRLZ44NPBF
SP001568772
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI540NPBF
仓库库存编号：
IRLI540NPBF-ND
别名：*IRLI540NPBF
SP001568964
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIZ44NPBF
仓库库存编号：
IRLIZ44NPBF-ND
别名：*IRLIZ44NPBF
SP001558208
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 87W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3708PBF
仓库库存编号：
IRF3708PBF-ND
别名：*IRF3708PBF
SP001553964
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014
仓库库存编号：
IRLR014-ND
别名：*IRLR014
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Sanken
MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 60V 7A 4.8W Through Hole 15-ZIP
型号：
SLA5065
仓库库存编号：
SLA5065-ND
别名：SLA5065 DK
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
Sanken
MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 60V 7A 5W Through Hole 15-SIP
型号：
SLA5068-LF830
仓库库存编号：
SLA5068-LF830-ND
别名：SLA5068
SLA5068 DK
SLA5068-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 250mW Surface Mount SOT-363
型号：
DMN66D0LDW-7
仓库库存编号：
DMN66D0LDWDICT-ND
别名：DMN66D0LDWDICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC090N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC090N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC090N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03MSGINCT
BSC090N03MSGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03MSGINCT
BSC050N03MSGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），75A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF030NE2LQ
仓库库存编号：
BSF030NE2LQCT-ND
别名：BSF030NE2LQCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ035N03MS G
仓库库存编号：
BSZ035N03MSGINCT-ND
别名：BSZ035N03MSGINCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ018NE2LSI
仓库库存编号：
BSZ018NE2LSICT-ND
别名：BSZ018NE2LSICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014N03MS G
仓库库存编号：
BSC014N03MS GCT-ND
别名：BSC014N03MS GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7108DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7108DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7108DN-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024
仓库库存编号：
IRLR024-ND
别名：*IRLR024
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Sanken
MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 10A 4W Through Hole 12-SIP
型号：
SMA5125
仓库库存编号：
SMA5125-ND
别名：SMA5125 DK
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
不受无铅要求限制
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.4A（Ta） 500mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV42ENER
仓库库存编号：
1727-2706-1-ND
别名：1727-2706-1
568-13225-1
568-13225-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.02W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
型号：
DMN3016LFDF-7
仓库库存编号：
DMN3016LFDF-7DICT-ND
别名：DMN3016LFDF-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC080N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC080N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC080N03MSGINCT
BSC080N03MSGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
