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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC100N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC100N03MSGINCT
BSC100N03MSGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
型号：
SI4346DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4346DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4346DY-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ065N03LS
仓库库存编号：
BSZ065N03LSCT-ND
别名：BSZ065N03LSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），78A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0904NSI
仓库库存编号：
BSC0904NSICT-ND
别名：BSC0904NSICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD09P06PL G
仓库库存编号：
SPD09P06PL GCT-ND
别名：SPD09P06PL GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0902NS
仓库库存编号：
BSZ0902NSCT-ND
别名：BSZ0902NSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
型号：
NTD18N06LT4G
仓库库存编号：
NTD18N06LT4GOSCT-ND
别名：NTD18N06LT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC024NE2LS
仓库库存编号：
BSC024NE2LSCT-ND
别名：BSC024NE2LSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 40W（Tc） DPAK
型号：
STD16NF06T4
仓库库存编号：
497-15667-1-ND
别名：497-15667-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6502
仓库库存编号：
785-1576-1-ND
别名：785-1576-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.1A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD24AN06LA0_F085
仓库库存编号：
FDD24AN06LA0_F085CT-ND
别名：FDD24AN06LA0_F085CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），110A（Tc） 1.5W（Ta），110W（Tc） DPAK
型号：
NTD110N02RT4G
仓库库存编号：
NTD110N02RT4GOSCT-ND
别名：NTD110N02RT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014NE2LSI
仓库库存编号：
BSC014NE2LSICT-ND
别名：BSC014NE2LSICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3708TRPBFCT-ND
别名：IRFR3708TRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC020N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC020N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 25A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3626S
仓库库存编号：
FDMS3626SCT-ND
别名：FDMS3626SCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ025N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSZ025N04LSATMA1CT-ND
别名：BSZ025N04LSATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL530NSTRLPBFCT-ND
别名：IRL530NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 34A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3622S
仓库库存编号：
FDMS3622SCT-ND
别名：FDMS3622SCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7108DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7108DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7108DN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ34NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ34NSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ34NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C423NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C423NLT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C423NLT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ24NSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ24NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU120NPBF
仓库库存编号：
IRLU120NPBF-ND
别名：*IRLU120NPBF
SP001567330
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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