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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2L-03
仓库库存编号：
SPP80N04S2L-03-ND
别名：SP000012472
SPP80N04S2L03
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPP80N06S2L-05-ND
别名：SP000012474
SPP80N06S2L05
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N08S2L-07
仓库库存编号：
SPP80N08S2L-07-ND
别名：SP000012476
SPP80N08S2L07
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRL540NSTRL
仓库库存编号：
IRL540NSTRLCT-ND
别名：IRL540NSTRLCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706CPBF
仓库库存编号：
IRFR3706CPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3410CPBF
仓库库存编号：
IRLR3410CPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3706-701PBF
仓库库存编号：
IRFU3706-701PBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRRPBF
仓库库存编号：
IRF3706STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708STRRPBF
仓库库存编号：
IRF3708STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706CTRRPBF
仓库库存编号：
IRFR3706CTRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706CTRLPBF
仓库库存编号：
IRFR3706CTRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
IRF7752GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7752GTRPBFCT-ND
别名：IRF7752GTRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3708STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3706STRLPBF-ND
别名：SP001561768
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 59A（Tc） 130W（Tc） TO-263-5
型号：
IRLBD59N04ETRLP
仓库库存编号：
IRLBD59N04ETRLP-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2L-03
IPB80N04S2L-03-ND
SP000220158
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号：
IPB80N06S2L-H5-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S2L05AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S2L05AKSA1-ND
别名：IPI80N06S2L-05
IPI80N06S2L-05-ND
SP000219002
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S2L03AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S2L03AKSA1-ND
别名：IPP100N04S2L-03
IPP100N04S2L-03-ND
SP000219062
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S2L05AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N06S2L05AKSA1-ND
别名：IPP100N06S2L-05
IPP100N06S2L-05-ND
SP000218879
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S2L03AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S2L03AKSA1-ND
别名：IPP80N04S2L-03
IPP80N04S2L-03-ND
SP000219063
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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