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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3708PBF
仓库库存编号：
IRFU3708PBF-ND
别名：*IRFU3708PBF
SP001573620
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3706PBF
仓库库存编号：
IRFU3706PBF-ND
别名：*IRFU3706PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 28A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
型号：
64-4092PBF
仓库库存编号：
64-4092PBF-ND
别名：*IRLU2705PBF
IRLU2705PBF
IRLU2705PBF-ND
SP001550660
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRL3705NLPBF
仓库库存编号：
IRL3705NLPBF-ND
别名：*IRL3705NLPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3706PBFCT-ND
别名：*IRFR3706TRPBF
IRFR3706PBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7463PBF
仓库库存编号：
IRF7463PBF-ND
别名：SP001565454
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L03T
仓库库存编号：
SPB100N03S2L03T-ND
别名：SP000013460
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI100N03S2L03
仓库库存编号：
SPI100N03S2L03-ND
别名：SP000013491
SPI100N03S2L03X
SPI100N03S2L03X-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N03S2L03
仓库库存编号：
SPP100N03S2L03-ND
别名：SP000013462
SPP100N03S2L03X
SPP100N03S2L03X-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号：
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名：SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号：
SPB100N04S2L-03-ND
别名：SP000013712
SPB100N04S2L03T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号：
SPB100N06S2L-05-ND
别名：SP000013714
SPB100N06S2L05T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N08S2L-07
仓库库存编号：
SPB100N08S2L-07-ND
别名：SP000013716
SPB100N08S2L07T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
SPB160N04S2L03DTMA1
仓库库存编号：
SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
别名：SP000014639
SPB160N04S2L-03
SPB160N04S2L-03-ND
SPB160N04S2L03T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-03
仓库库存编号：
SPB80N03S2L-03-ND
别名：SP000016252
SPB80N03S2L03T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-03 G
仓库库存编号：
SPB80N03S2L-03 G-ND
别名：SP000200142
SPB80N03S2L03GXT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N04S2L-03
仓库库存编号：
SPB80N04S2L-03-ND
别名：SP000016354
SPB80N04S2L03T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPB80N06S2L-05-ND
别名：SP000016352
SPB80N06S2L05T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N08S2L-07
仓库库存编号：
SPB80N08S2L-07-ND
别名：SP000016359
SPB80N08S2L07T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-03
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-03-ND
别名：SP000016261
SPI80N03S2L03X
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPI80N06S2L-05-ND
别名：SP000016360
SPI80N06S2L05
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N04S2L-03
仓库库存编号：
SPP100N04S2L-03-ND
别名：SP000013719
SPP100N04S2L03
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N06S2L-05
仓库库存编号：
SPP100N06S2L-05-ND
别名：SP000013721
SPP100N06S2L05
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N08S2L-07
仓库库存编号：
SPP100N08S2L-07-ND
别名：SP000013723
SPP100N08S2L07
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2L-03
仓库库存编号：
SPP80N03S2L-03-ND
别名：SP000012469
SPP80N03S2L03X
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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