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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7470TR
仓库库存编号:
IRF7470TR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7752TR
仓库库存编号:
IRF7752TR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TR
仓库库存编号:
IRFR3706TR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TRL
仓库库存编号:
IRFR3706TRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706TRR
仓库库存编号:
IRFR3706TRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TR
仓库库存编号:
IRFR3708TR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRL
仓库库存编号:
IRFR3708TRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRR
仓库库存编号:
IRFR3708TRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),94A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6607
仓库库存编号:
IRF6607CT-ND
别名:*IRF6607
IRF6607CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI100N03S2L-03-ND
别名:Q1620887
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU09P06PL
仓库库存编号:
SPU09P06PLIN-ND
别名:SP000012876
SPU09P06PLIN
SPU09P06PLX
SPU09P06PLXTIN
SPU09P06PLXTIN-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2L-03IN-ND
别名:SPP100N03S2L-03IN
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12.6A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO301SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO301SPNTMA1CT-ND
别名:BSO301SPINCT
BSO301SPINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名:SPB100N03S2L-INTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD09P06PL
仓库库存编号:
SPD09P06PLINCT-ND
别名:SPD09P06PLINCT
SPD09P06PLXTINCT
SPD09P06PLXTINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7484Q
仓库库存编号:
IRF7484Q-ND
别名:*IRF7484Q
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 14A(Tc) 26W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ24NPBF
仓库库存编号:
IRLIZ24NPBF-ND
别名:*IRLIZ24NPBF
SP001558800
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3706PBF
仓库库存编号:
IRF3706PBF-ND
别名:*IRF3706PBF
SP001563152
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-262
型号:
IRF3706LPBF
仓库库存编号:
IRF3706LPBF-ND
别名:*IRF3706LPBF
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3706SPBF
仓库库存编号:
IRF3706SPBF-ND
别名:*IRF3706SPBF
SP001561640
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708SPBF
仓库库存编号:
IRF3708SPBF-ND
别名:*IRF3708SPBF
SP001553954
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ24NLPBF
仓库库存编号:
IRLZ24NLPBF-ND
别名:*IRLZ24NLPBF
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ34NLPBF
仓库库存编号:
IRLZ34NLPBF-ND
别名:*IRLZ34NLPBF
SP001552974
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44NLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44NLPBF-ND
别名:*IRLZ44NLPBF
SP001577060
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRL540NLPBF
仓库库存编号:
IRL540NLPBF-ND
别名:*IRL540NLPBF
SP001558070
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