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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 28A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
94-2335
仓库库存编号：
94-2335-ND
别名：*IRLR2705
IRLR2705
IRLR2705-ND
SP001521442
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 28A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU2705
仓库库存编号：
IRLU2705-ND
别名：*IRLU2705
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7459
仓库库存编号：
IRF7459-ND
别名：*IRF7459
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7467
仓库库存编号：
IRF7467-ND
别名：*IRF7467
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 9.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7468
仓库库存编号：
IRF7468-ND
别名：*IRF7468
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 12A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3215
仓库库存编号：
IRL3215-ND
别名：*IRL3215
SP001558002
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 58A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI2505
仓库库存编号：
IRLI2505-ND
别名：*IRLI2505
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3706
仓库库存编号：
IRF3706-ND
别名：*IRF3706
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-262
型号：
IRF3706L
仓库库存编号：
IRF3706L-ND
别名：*IRF3706L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 104A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRL2505L
仓库库存编号：
IRL2505L-ND
别名：*IRL2505L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRL2910L
仓库库存编号：
IRL2910L-ND
别名：*IRL2910L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRL3705NL
仓库库存编号：
IRL3705NL-ND
别名：*IRL3705NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
型号：
IRL520NL
仓库库存编号：
IRL520NL-ND
别名：*IRL520NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
型号：
IRL540NL
仓库库存编号：
IRL540NL-ND
别名：*IRL540NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ24NL
仓库库存编号：
IRLZ24NL-ND
别名：*IRLZ24NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ34NL
仓库库存编号：
IRLZ34NL-ND
别名：*IRLZ34NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 47A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ44NL
仓库库存编号：
IRLZ44NL-ND
别名：*IRLZ44NL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRL
仓库库存编号：
IRF3706STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRR
仓库库存编号：
IRF3706STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3708
仓库库存编号：
IRF3708-ND
别名：*IRF3708
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708S
仓库库存编号：
IRF3708S-ND
别名：*IRF3708S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708STRL
仓库库存编号：
IRF3708STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708STRR
仓库库存编号：
IRF3708STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7459TR
仓库库存编号：
IRF7459TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7463TR
仓库库存编号：
IRF7463TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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