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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11.6A（Ta） 2.14W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMN2027LK3-13
  仓库库存编号：DMN2027LK3-13DICT-ND
  别名：DMN2027LK3-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.62A（Ta） 990mW（Ta） U-DFN3030-8
  
  型号：DMG4468LFG
  仓库库存编号：DMG4468LFGDICT-ND
  别名：DMG4468LFGDICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），93A（Tc） 930mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4935NBT1G
  仓库库存编号：NTMFS4935NBT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.6A（Ta） 1.43W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMG8880LSS-13
  仓库库存编号：DMG8880LSS-13DICT-ND
  别名：DMG8880LSS-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 46A（Tc） 71W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD5865NL-1G
  仓库库存编号：NTD5865NL-1GOS-ND
  别名：NTD5865NL-1G-ND
  NTD5865NL-1GOS
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4910DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4910DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4910DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5511DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5511DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5511DC-T1-GE3CT
  SI5511DCT1GE3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Tc） 3.1W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7621DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7621DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7621DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Ta） 1.68W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMN3005LK3-13
  仓库库存编号：DMN3005LK3-13DICT-ND
  别名：DMN3005LK3-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），85A（Tc） 2.1W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6404
  仓库库存编号：AON6404-ND
  别名：AON6404L
  AON6404L-ND
  AON6704
  AON6704-ND
  Q5843524
  T1419663
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4226DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4226DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4362BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4362BDY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4362BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4362BDY-T1-GE3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4563DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4563DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 7.6A, 7.9A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4569DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4569DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4816DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4816DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5482DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5482DU-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5484DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5484DU-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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  MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5509DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5509DC-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.4A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7888DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7888DP-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.4A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7888DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7888DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE806DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE806DF-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE830DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE830DF-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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  MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 8.2A（Ta），20A（Tc） 3.1W（Ta），45.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-23-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-23-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 8.2A（Ta），20A（Tc） 3.1W（Ta），45.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-23-GE3
  仓库库存编号：SUD50P04-23-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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