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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），71A（Tc） 3.6W（Ta）, 61W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C670NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C670NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C670NLT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120TRPBF
仓库库存编号：
IRLR120TRPBFCT-ND
别名：*IRLR120TRPBF
IRLR120PBFCT
IRLR120PBFCT-ND
IRLR120TRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7470TRPBF
仓库库存编号：
IRF7470PBFCT-ND
别名：*IRF7470TRPBF
IRF7470PBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7456TRPBF
仓库库存编号：
IRF7456PBFCT-ND
别名：*IRF7456TRPBF
IRF7456PBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
型号：
MMSF3P02HDR2G
仓库库存编号：
MMSF3P02HDR2GOSCT-ND
别名：MMSF3P02HDR2GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-Pak
型号：
FQU13N10LTU
仓库库存编号：
FQU13N10LTU-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
型号：
NTD3055L104-1G
仓库库存编号：
NTD3055L104-1GOS-ND
别名：NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ018NE2LS
仓库库存编号：
BSZ018NE2LSCT-ND
别名：BSZ018NE2LSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC016N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC016N03MSGINCT
BSC016N03MSGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC010NE2LS
仓库库存编号：
BSC010NE2LSCT-ND
别名：BSC010NE2LSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO301SP H
仓库库存编号：
BSO301SP HCT-ND
别名：BSO301SP HCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
型号：
SPD50P03L G
仓库库存编号：
SPD50P03LGINCT-ND
别名：SPD50P03LGINCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3624S
仓库库存编号：
FDMS3624SCT-ND
别名：FDMS3624SCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC010NE2LSI
仓库库存编号：
BSC010NE2LSICT-ND
别名：BSC010NE2LSICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.75W（Ta），127W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB33N10LTM
仓库库存编号：
FQB33N10LTMCT-ND
别名：FQB33N10LTMCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD14N05LSM
仓库库存编号：
RFD14N05LSM-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD110PBF
仓库库存编号：
IRLD110PBF-ND
别名：*IRLD110PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-251AA
型号：
RFD14N05L
仓库库存编号：
RFD14N05L-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ14PBF
仓库库存编号：
IRLZ14PBF-ND
别名：*IRLZ14PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD014PBF
仓库库存编号：
IRLD014PBF-ND
别名：*IRLD014PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU3410PBF
仓库库存编号：
IRLU3410PBF-ND
别名：*IRLU3410PBF
64-4160PBF
64-4160PBF-ND
SP001574164
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU024NPBF
仓库库存编号：
IRLU024NPBF-ND
别名：*IRLU024NPBF
64-4164PBF
64-4164PBF-ND
SP001553260
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP12N10L
仓库库存编号：
RFP12N10L-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI520NPBF
仓库库存编号：
IRLI520NPBF-ND
别名：*IRLI520NPBF
SP001576820
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
型号：
BSC010N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC010N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC010N04LSATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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