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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0501NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0501NSIATMA1-ND
别名：SP001281638
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0923NDIATMA1
仓库库存编号：
BSC0923NDIATMA1-ND
别名：SP000934758
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 33A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC015NE2LS5IATMA1
仓库库存编号：
BSC015NE2LS5IATMA1-ND
别名：SP001288138
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 27A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC019N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC019N04LSATMA1-ND
别名：SP001067012
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7463TRPBF
仓库库存编号：
IRF7463PBFTR-ND
别名：IRF7463PBFTR
IRF7463TRPBF-ND
IRF7463TRPBFTR-ND
SP001551388
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ013NE2LS5IATMA1
仓库库存编号：
BSZ013NE2LS5IATMA1-ND
别名：SP001288148
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR2905TRL
仓库库存编号：
AUIRLR2905TRL-ND
别名：SP001520426
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB012NE2LXIXUMA1
仓库库存编号：
BSB012NE2LXIXUMA1-ND
别名：SP001034232
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0500NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0500NSIATMA1-ND
别名：SP001288136
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ014NE2LS5IFATMA1
仓库库存编号：
BSZ014NE2LS5IFATMA1-ND
别名：SP001258924
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0500NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0500NSIATMA1-ND
别名：SP001288150
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7484QTR
仓库库存编号：
AUIRF7484QTRTR-ND
别名：AUIRF7484QTRTR
SP001519200
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） I-Pak
型号：
IRLU2905PBF
仓库库存编号：
IRLU2905PBF-ND
别名：*IRLU2905PBF
SP001577178
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 11A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0910NDIATMA1
仓库库存编号：
BSC0910NDIATMA1-ND
别名：SP000998052
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 46A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB008NE2LXXUMA1
仓库库存编号：
BSB008NE2LXXUMA1-ND
别名：SP000880866
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLZ24NS
仓库库存编号：
AUIRLZ24NS-ND
别名：SP001518210
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRLU2905
仓库库存编号：
AUIRLU2905-ND
别名：SP001520838
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 33A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSG0813NDIATMA1
仓库库存编号：
BSG0813NDIATMA1-ND
别名：SP001241676
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLZ24NSTRL
仓库库存编号：
AUIRLZ24NSTRL-ND
别名：SP001516890
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2LH5AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S2LH5AKSA2-ND
别名：SP001063648
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2LH5ATMA4
仓库库存编号：
IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
别名：SP001058126
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSG0810NDIATMA1
仓库库存编号：
BSG0810NDIATMA1-ND
别名：SP001241674
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S2L05AKSA2
仓库库存编号：
IPP100N06S2L05AKSA2-ND
别名：SP001067950
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N08S2L07AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N08S2L07AKSA1-ND
别名：IPP100N08S2L-07
IPP100N08S2L-07-ND
SP000219052
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S2L03ATMA2
仓库库存编号：
IPB100N04S2L03ATMA2-ND
别名：SP001063640
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
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