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Sanken
MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 60V 7A 5W Through Hole 15-SIP
型号:
SLA5068 LF853
仓库库存编号:
SLA5068 LF853-ND
别名:SLA5058 LF853
SLA5058 LF853-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 13A(Ta) 2.5W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSC0996NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0996NSATMA1-ND
别名:SP001659236
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),63A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名:BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO110N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO110N03MSGXUMA1TR-ND
别名:BSO110N03MS G
BSO110N03MS G-ND
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINTR-ND
SP000446062
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.1W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSZ0994NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0994NSATMA1-ND
别名:SP001586402
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 2.1W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSZ0589NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0589NSATMA1-ND
别名:SP001586396
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),84A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC032NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC032NE2LSCT
BSC032NE2LSCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),72A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0504NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0504NSIATMA1-ND
别名:SP001288146
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO040N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO040N03MSGXUMA1TR-ND
别名:BSO040N03MS G
BSO040N03MS G-ND
SP000446070
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),69A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF035NE2LQXUMA1
仓库库存编号:
BSF035NE2LQXUMA1-ND
别名:SP001034234
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 18A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ033NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ033NE2LS5ATMA1-ND
别名:SP001288158
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ031NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ031NE2LS5ATMA1-ND
别名:SP001385378
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),88A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288144
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288156
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 30V 15A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0925NDATMA1
仓库库存编号:
BSC0925NDATMA1-ND
别名:SP000934752
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 26A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta), 43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0502NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0502NSIATMA1-ND
别名:SP001288142
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta), 43W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0502NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0502NSIATMA1-ND
别名:SP001288154
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR024NTRL
仓库库存编号:
AUIRLR024NTRL-ND
别名:SP001517694
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024NTR
仓库库存编号:
AUIRLL024NTR-ND
别名:SP001518736
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC018NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0501NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0501NSIATMA1-ND
别名:SP001288140
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 48W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR120NTRL
仓库库存编号:
AUIRLR120NTRL-ND
别名:SP001516016
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 27A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ017NE2LS5IATMA1
仓库库存编号:
BSZ017NE2LS5IATMA1-ND
别名:SP001288152
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0924NDIATMA1
仓库库存编号:
BSC0924NDIATMA1-ND
别名:SP000934750
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRL520NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL520NSTRLPBF-ND
别名:SP001567056
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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