规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1220)
分立半导体产品
(1220)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(33)
Central Semiconductor Corp(1)
Diodes Incorporated(84)
Fairchild/Micross Components(419)
Fairchild/ON Semiconductor(64)
Infineon Technologies(334)
Kionix Inc.(1)
Micro Commercial Co(4)
Nexperia USA Inc.(15)
NXP USA Inc.(2)
ON Semiconductor(21)
Rohm Semiconductor(2)
Sanken(11)
STMicroelectronics(11)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Texas Instruments(8)
Vishay BC Components(14)
Vishay Beyschlag(94)
Vishay Electro-Films(45)
Vishay Huntington Electric Inc.(16)
Vishay Semiconductor Diodes Division(6)
Vishay Semiconductor Opto Division(1)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(24)
Vishay Spectrol(4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFAFT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta）, 330A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C410NLTWFT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C410NLTWFT1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRLPBF
仓库库存编号：
IRL630STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRRPBF
仓库库存编号：
IRL630STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120
仓库库存编号：
IRLR120-ND
别名：*IRLR120
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120TR
仓库库存编号：
IRLR120TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120TRL
仓库库存编号：
IRLR120TRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLT1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLAFT1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFT1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFAFT1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE810DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE810DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE810DF-T1-E3TR
SIE810DFT1E3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE810DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE810DF-T1-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TR
仓库库存编号：
IRLR024TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TRL
仓库库存编号：
IRLR024TRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU024
仓库库存编号：
IRLU024-ND
别名：*IRLU024
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRL640STRRPBF
仓库库存编号：
IRL640STRRPBF-ND
别名：Q4322190B
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 48A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta），315A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NLT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta）, 330A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NLAFT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ44G
仓库库存编号：
IRLIZ44G-ND
别名：*IRLIZ44G
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44STRRPBF
仓库库存编号：
IRLZ44STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 48A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta），315A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NLWFT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta）, 330A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NLWFAFT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），352A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NLT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 48A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta），315A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NLT1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
搜索
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
