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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),52W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ034N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ034N04LSATMA1CT-ND
别名:BSZ034N04LSATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7455TRPBF
仓库库存编号:
IRF7455PBFCT-ND
别名:*IRF7455TRPBF
IRF7455PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505STRLPBF
仓库库存编号:
IRL2505STRLPBFCT-ND
别名:IRL2505STRLPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL2910PBF
仓库库存编号:
IRL2910PBF-ND
别名:*IRL2910PBF
SP001576496
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI640GPBF
仓库库存编号:
IRLI640GPBF-ND
别名:*IRLI640GPBF
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
型号:
RF4E080BNTR
仓库库存编号:
RF4E080BNTRCT-ND
别名:RF4E080BNTRCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SOP
型号:
MCQ9435-TP
仓库库存编号:
MCQ9435-TPMSCT-ND
别名:MCQ9435-TPMSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM180N03CS RLG
仓库库存编号:
TSM180N03CS RLGTR-ND
别名:TSM180N03CS RLGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM180N03CS RLG
仓库库存编号:
TSM180N03CS RLGCT-ND
别名:TSM180N03CS RLGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM180N03CS RLG
仓库库存编号:
TSM180N03CS RLGDKR-ND
别名:TSM180N03CS RLGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISS28DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS28DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS28DN-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET PCH 30V 9A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta) 2.7W(Ta) 8-SO
型号:
STS9P3LLH6
仓库库存编号:
STS9P3LLH6-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
TRENCH 6 40V FET
详细描述:表面贴装 N 沟道 107A(Tc) 68W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C453NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C453NLWFTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5C453NLWFTAGOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 218A (Tc) 83W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS1D5N03
仓库库存编号:
FDMS1D5N03CT-ND
别名:FDMS1D5N03CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 370A(Tc) 200W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C404NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C404NLWFAFT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5C404NLWFAFT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 287A (Tc) 200W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C604NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN65D8LQ-13
仓库库存编号:
DMN65D8LQ-13-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN65D8LQ-7
仓库库存编号:
DMN65D8LQ-7-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002AQ-13
仓库库存编号:
2N7002AQ-13-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002AQ-7
仓库库存编号:
2N7002AQ-7-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Ta) 430mW(Ta) X1-DFN1006-3
型号:
DMN65D8LFB-7
仓库库存编号:
DMN65D8LFB-7-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB20EN,115
仓库库存编号:
1727-1247-1-ND
别名:1727-1247-1
568-10455-1
568-10455-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB20ENZ
仓库库存编号:
PMPB20ENZ-ND
别名:934066626184
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Ta) 2.1W(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMN3025LFDF-13
仓库库存编号:
DMN3025LFDF-13-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DMN3032LFDB-13
仓库库存编号:
DMN3032LFDB-13-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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