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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
2N7002W-7-F
仓库库存编号:
2N7002W-FDICT-ND
别名:2N7002W-FDICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 200mW Surface Mount SC-70-6
型号:
2N7002DW
仓库库存编号:
2N7002DWCT-ND
别名:2N7002DWCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3422
仓库库存编号:
785-1015-1-ND
别名:785-1015-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),150A(Tc) 7.4W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6512
仓库库存编号:
785-1366-1-ND
别名:785-1366-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4564DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4564DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4564DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 38A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3620S
仓库库存编号:
FDMS3620SFSCT-ND
别名:FDMS3620SFSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD120PBF
仓库库存编号:
IRLD120PBF-ND
别名:*IRLD120PBF
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
STD60NF55LT4
仓库库存编号:
497-15669-1-ND
别名:497-15669-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002A-7
仓库库存编号:
2N7002A-7DICT-ND
别名:2N7002A-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 130mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SBSS84LT1G
仓库库存编号:
SBSS84LT1GOSCT-ND
别名:SBSS84LT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
2N7002DW-TP
仓库库存编号:
2N7002DW-TPCT-ND
别名:2N7002DW-TPCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DMN3032LFDBQ-7
仓库库存编号:
DMN3032LFDBQ-7DICT-ND
别名:DMN3032LFDBQ-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2705TRPBF
仓库库存编号:
IRLL2705PBFCT-ND
别名:*IRLL2705TRPBF
IRLL2705PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB11EN,115
仓库库存编号:
1727-1244-1-ND
别名:1727-1244-1
568-10450-1
568-10450-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223
型号:
NVF3055L108T1G
仓库库存编号:
NVF3055L108T1GOSCT-ND
别名:NVF3055L108T1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) SuperSO8
型号:
BSC014N04LS
仓库库存编号:
BSC014N04LSCT-ND
别名:BSC014N04LS-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ24PBF
仓库库存编号:
IRLZ24PBF-ND
别名:*IRLZ24PBF
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ34PBF
仓库库存编号:
IRLZ34PBF-ND
别名:*IRLZ34PBF
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB50P03HDLT4G
仓库库存编号:
MTB50P03HDLT4GOSCT-ND
别名:MTB50P03HDLT4GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630SPBF
仓库库存编号:
IRL630SPBF-ND
别名:*IRL630SPBF
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 2.5W(Ta) 6-SON(2x2)
型号:
CSD17571Q2
仓库库存编号:
296-37193-1-ND
别名:296-37193-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TRPBF
仓库库存编号:
IRLR2705PBFCT-ND
别名:*IRLR2705TRPBF
IRLR2705PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),30A(Tc) 2.2W(Ta),41W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT6010LFG-7
仓库库存编号:
DMT6010LFG-7DICT-ND
别名:DMT6010LFG-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),60A(Tc) 2.2W(Ta),41W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT6008LFG-7
仓库库存编号:
DMT6008LFG-7DICT-ND
别名:DMT6008LFG-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO033N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO033N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO033N03MS GINCT
BSO033N03MS GINCT-ND
BSO033N03MSGXUMA1CT
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