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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ14GPBF
仓库库存编号：
IRLIZ14GPBF-ND
别名：*IRLIZ14GPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI530GPBF
仓库库存编号：
IRLI530GPBF-ND
别名：*IRLI530GPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 89A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3705NPBF
仓库库存编号：
IRL3705NPBF-ND
别名：*IRL3705NPBF
SP001578520
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI3705NPBF
仓库库存编号：
IRLI3705NPBF-ND
别名：*IRLI3705NPBF
SP001576840
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIZ34NPBF
仓库库存编号：
IRLIZ34NPBF-ND
别名：*IRLIZ34NPBF
SP001573820
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-262-3
型号：
IRLZ24LPBF
仓库库存编号：
IRLZ24LPBF-ND
别名：*IRLZ24LPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRL620SPBF
仓库库存编号：
IRL620SPBF-ND
别名：*IRL620SPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N08S2L07AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N08S2L07AKSA1-ND
别名：IPP80N08S2L-07
IPP80N08S2L-07-ND
IPP80N08S2L07
SP000219050
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI630GPBF
仓库库存编号：
IRLI630GPBF-ND
别名：*IRLI630GPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ34GPBF
仓库库存编号：
IRLIZ34GPBF-ND
别名：*IRLIZ34GPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.1A（Ta） 820mW（Ta） 6-UDFN2020（2x2）
型号：
DMT5015LFDF-7
仓库库存编号：
DMT5015LFDF-7DICT-ND
别名：DMT5015LFDF-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7N20LTM
仓库库存编号：
FQD7N20LTMCT-ND
别名：FQD7N20LTMCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO
型号：
DMHC3025LSDQ-13
仓库库存编号：
DMHC3025LSDQ-13DICT-ND
别名：DMHC3025LSDQ-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），71W（Tc） DPAK
型号：
SVD5865NLT4G
仓库库存编号：
SVD5865NLT4GOSCT-ND
别名：NVD5865NLT4GOSCT
NVD5865NLT4GOSCT-ND
SVD5865NLT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
型号：
FDT459N
仓库库存编号：
FDT459NFSCT-ND
别名：FDT459NFSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP4N20L
仓库库存编号：
FQP4N20L-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17322Q5A
仓库库存编号：
296-29018-1-ND
别名：296-29018-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB19N20LTM
仓库库存编号：
FQB19N20LTMCT-ND
别名：FQB19N20LTMCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB6030PL
仓库库存编号：
NDB6030PLFSCT-ND
别名：NDB6030PLFSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRL640STRLPBF
仓库库存编号：
IRL640STRLPBFCT-ND
别名：IRL640STRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16414Q5
仓库库存编号：
296-24257-1-ND
别名：296-24257-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO065N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO065N03MS GINCT
BSO065N03MS GINCT-ND
BSO065N03MSG
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），82A（Tc） 2.5W（Ta），29W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC026NE2LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND
别名：BSC026NE2LS5ATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 89A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3705NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL3705NSTRLPBFCT-ND
别名：IRL3705NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
BSS84LT1G
仓库库存编号：
BSS84LT1GOSCT-ND
别名：BSS84LT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA,
无铅
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