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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP120N04T2
仓库库存编号：
IXTP120N04T2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 220A（Tc） 283W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5860NG
仓库库存编号：
NTP5860NG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB18N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB18N60E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 28W（Tc）
型号：
AOWF25S65
仓库库存编号：
785-1530-5-ND
别名：AOWF25S65-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-262
型号：
AOW25S65
仓库库存编号：
785-1526-5-ND
别名：AOW25S65-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHF23N60E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
详细描述：通孔 N 沟道 10.8A（Tc） 94W（Tc） TO-220F
型号：
FCP11N60N_F102
仓库库存编号：
FCP11N60N_F102-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
型号：
NVB60N06T4G
仓库库存编号：
NVB60N06T4G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF9640LPBF
仓库库存编号：
IRF9640LPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD024
仓库库存编号：
IRFD024-ND
别名：*IRFD024
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N04-04-E3
仓库库存编号：
SUM110N04-04-E3TR-ND
别名：SUM110N04-04-E3-ND
SUM110N04-04-E3TR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 1.2W（Ta），147W（Tc） TO-252-3
型号：
NP90N055VUK-E1-AY
仓库库存编号：
NP90N055VUK-E1-AY-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF740STRRPBF
仓库库存编号：
IRF740STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-263AB
型号：
IRFS11N50ATRLP
仓库库存编号：
IRFS11N50ATRLP-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS11N50ATRRP
仓库库存编号：
IRFS11N50ATRRP-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-263AB
型号：
IRF840LCSTRRPBF
仓库库存编号：
IRF840LCSTRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH6008SCTQ
仓库库存编号：
DMNH6008SCTQDI-ND
别名：DMNH6008SCTQ-ND
DMNH6008SCTQDI
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 77A（Tc） 217W（Tc） D2PAK-3
型号：
NVB6411ANT4G
仓库库存编号：
NVB6411ANT4G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B05NT3G
仓库库存编号：
NVMFS6B05NT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA120N04T2
仓库库存编号：
IXTA120N04T2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-220
型号：
AOT25S65L
仓库库存编号：
785-1514-5-ND
别名：AOT25S65L-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB15N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHB15N65E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRFZ48RSPBF
仓库库存编号：
IRFZ48RSPBF-ND
别名：*IRFZ48RSPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30STRLPBF
仓库库存编号：
IRFBC30STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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