规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(5033)
分立半导体产品
(5033)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(71)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(92)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(991)
Fairchild/ON Semiconductor(244)
Global Power Technologies Group(63)
Infineon Technologies(807)
IXYS(225)
Microsemi Corporation(130)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(39)
Nexperia USA Inc.(2)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(54)
Renesas Electronics America(63)
Sanken(2)
STMicroelectronics(784)
Taiwan Semiconductor Corporation(168)
Vishay BC Components(75)
Vishay Beyschlag(627)
Vishay Electro-Films(256)
Vishay Huntington Electric Inc.(92)
Vishay Semiconductor Diodes Division(48)
Vishay Semiconductor Opto Division(11)
Vishay Sfernice(25)
Vishay Siliconix(127)
Vishay Spectrol(6)
Vishay Sprague(10)
Vishay Thin Film(4)
Vishay Vitramon(3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC20GPBF
仓库库存编号：
IRFIBC20GPBF-ND
别名：*IRFIBC20GPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD214
仓库库存编号：
IRFD214-ND
别名：*IRFD214
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9010
仓库库存编号：
IRFD9010-ND
别名：*IRFD9010
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7455DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7455DP-T1-E3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7455DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7455DP-T1-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 255W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP060AN08A0
仓库库存编号：
FDP060AN08A0-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta），124A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86181
仓库库存编号：
FDMS86181CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 7A 2.1W Surface Mount 8-PQFN (3.3x5)
型号：
FDMD84100
仓库库存编号：
FDMD84100CT-ND
别名：FDMD84100CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB15S65L
仓库库存编号：
785-1543-1-ND
别名：785-1543-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD19N20-90-T4-E3
仓库库存编号：
SUD19N20-90-T4-E3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 15A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-262
型号：
AOW15S65
仓库库存编号：
785-1525-5-ND
别名：AOW15S65-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730STRLPBF
仓库库存编号：
IRF730STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730STRRPBF
仓库库存编号：
IRF730STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 156W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB12N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N65E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 104W（Tc） TO-220AB
型号：
DMT4005SCT
仓库库存编号：
DMT4005SCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 68W（Tc） TO-251
型号：
DMJ70H900HJ3
仓库库存编号：
DMJ70H900HJ3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF734
仓库库存编号：
IRF734-ND
别名：*IRF734
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 2.8W（Ta） TO-220AB
型号：
DMNH10H028SCT
仓库库存编号：
DMNH10H028SCTDI-5-ND
别名：DMNH10H028SCTDI-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34STRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ34STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRFZ24STRRPBF
仓库库存编号：
IRFZ24STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24STRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ24STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2552_F085
仓库库存编号：
FDB2552_F085CT-ND
别名：FDB2552_F085CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V/20V NCH POWER TRENCH M
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS10C4D2N
仓库库存编号：
FDMS10C4D2N-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ48RPBF
仓库库存编号：
IRFZ48RPBF-ND
别名：*IRFZ48RPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 113W（Tc） TO-251
型号：
DMJ70H600SH3
仓库库存编号：
DMJ70H600SH3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
搜索
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
