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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP25N15-52_GE3
仓库库存编号：
SQP25N15-52_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG8N65SCT
仓库库存编号：
DMG8N65SCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） I-Pak
型号：
NDD60N360U1-1G
仓库库存编号：
NDD60N360U1-1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） I-Pak
型号：
NDD60N360U1-35G
仓库库存编号：
NDD60N360U1-35G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta），94W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B14NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B14NWFT1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 22A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB22P10TM_F085
仓库库存编号：
FQB22P10TM_F085CT-ND
别名：FQB22P10TM_F085CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB12N60ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N60ET1-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB12N60ET5-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N60ET5-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），180A（Tc） 1.9W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB480L
仓库库存编号：
785-1213-1-ND
别名：785-1213-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PWR MOS ULTRAFET 100V/53A/0.025
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） TO-220-3
型号：
HUF75639P3_F102
仓库库存编号：
HUF75639P3_F102-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 82A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 1.8W（Ta），143W（Tc） TO-263
型号：
NP82N055PUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP82N055PUG-E1-AYTR-ND
别名：NP82N055PUG-E1-AY-ND
NP82N055PUG-E1-AYTR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF12N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHF12N65E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 178W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG10N60SCT
仓库库存编号：
DMG10N60SCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 15A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 28W（Tc）
型号：
AOWF15S65
仓库库存编号：
785-1529-5-ND
别名：AOWF15S65-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF634STRRPBF
仓库库存编号：
IRF634STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9520STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9520STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9520STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9520STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），77W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS6B14NT1G
仓库库存编号：
NTMFS6B14NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS6B14NT1GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH6008SCT
仓库库存编号：
DMNH6008SCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMTH4005SCT
仓库库存编号：
DMTH4005SCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V ITO-220A
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 41W（Tc） ITO-220AB
型号：
DMN80H2D0SCTI
仓库库存编号：
DMN80H2D0SCTI-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N60E-E3
仓库库存编号：
SIHP12N60E-E3-ND
别名：SIHP12N60EE3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.4A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7302DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7302DN-T1-E3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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