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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-251
型号：
SIHU7N60E-E3
仓库库存编号：
SIHU7N60E-E3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6N60C
仓库库存编号：
FQP6N60C-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ14STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） TO-262-3
型号：
IRF720LPBF
仓库库存编号：
IRF720LPBF-ND
别名：*IRF720LPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 104W（Tc） TO-262
型号：
AOW7S65
仓库库存编号：
785-1527-5-ND
别名：AOW7S65-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 167W（Tc） D2PAK-3
型号：
NVB6412ANT4G
仓库库存编号：
NVB6412ANT4G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
NDD60N550U1-1G
仓库库存编号：
NDD60N550U1-1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
NDD60N550U1-35G
仓库库存编号：
NDD60N550U1-35G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD224
仓库库存编号：
IRFD224-ND
别名：*IRFD224
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710STRLPBF
仓库库存编号：
IRF710STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
型号：
IRFD113PBF
仓库库存编号：
IRFD113PBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB8N60CTM
仓库库存编号：
FQB8N60CTMFSCT-ND
别名：FQB8N60CTMFSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V ITO-220A
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 28W（Tc） ITO-220AB
型号：
DMG7N65SCTI
仓库库存编号：
DMG7N65SCTI-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 225W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP12N60C
仓库库存编号：
FQP12N60C-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 2A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9610GPBF
仓库库存编号：
IRFI9610GPBF-ND
别名：*IRFI9610GPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610STRLPBF
仓库库存编号：
IRF610STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610STRRPBF
仓库库存编号：
IRF610STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF614STRRPBF
仓库库存编号：
IRF614STRRPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRF530STRRPBF
仓库库存编号：
IRF530STRRPBFCT-ND
别名：IRF530STRRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP7N60E-E3
仓库库存编号：
SIHP7N60E-E3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta），94W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B14NT3G
仓库库存编号：
NVMFS6B14NT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 198W（Tc） TO-220
型号：
AOT11S65L
仓库库存编号：
785-1510-5-ND
别名：AOT11S65L-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z14STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z14STRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG7N65SCT
仓库库存编号：
DMG7N65SCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHFS11N50A-GE3
仓库库存编号：
SIHFS11N50A-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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