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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7493TRPBF
仓库库存编号：
IRF7493PBFCT-ND
别名：*IRF7493TRPBF
IRF7493PBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD9NM40N
仓库库存编号：
497-13426-1-ND
别名：497-13426-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF9Z34NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 5.9W（Tc） 8-SO
型号：
SI4455DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4455DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4455DY-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7818DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7818DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7818DN-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7818DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7818DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7818DN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
IRF640NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF640NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF640NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3504ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR3504ZPBFCT-ND
别名：*IRFR3504ZTRPBF
IRFR3504ZPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3710ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR3710ZTRPBFCT-ND
别名：IRFR3710ZTRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
型号：
STD26NF10
仓库库存编号：
497-7963-1-ND
别名：497-7963-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
型号：
FDD10AN06A0
仓库库存编号：
FDD10AN06A0CT-ND
别名：FDD10AN06A0CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
型号：
FDMC86102
仓库库存编号：
FDMC86102CT-ND
别名：FDMC86102CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD110PBF
仓库库存编号：
IRFD110PBF-ND
别名：*IRFD110PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 7A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 7A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP7P06
仓库库存编号：
FQP7P06-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7898DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7898DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7898DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4.5A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
FDS3992
仓库库存编号：
FDS3992CT-ND
别名：FDS3992CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9510STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9510STRLPBFCT-ND
别名：IRF9510STRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
型号：
STD7NM60N
仓库库存编号：
497-11042-1-ND
别名：497-11042-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ48NSTRLPBFCT-ND
别名：IRFZ48NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9540NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF9540NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF9540NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF5305STRLPBF
仓库库存编号：
IRF5305STRLPBFCT-ND
别名：IRF5305STRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 700mA（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9110PBF
仓库库存编号：
IRFD9110PBF-ND
别名：*IRFD9110PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
型号：
FDMS2672
仓库库存编号：
FDMS2672CT-ND
别名：FDMS2672CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD16AN08A0
仓库库存编号：
FDD16AN08A0CT-ND
别名：FDD16AN08A0CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU110PBF
仓库库存编号：
IRFU110PBF-ND
别名：*IRFU110PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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