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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD80N4F6
仓库库存编号:
497-13576-1-ND
别名:497-13576-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
STP70N10F4
仓库库存编号:
497-8812-5-ND
别名:497-8812-5
STP70N10F4-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24.2A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR692DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR692DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR692DP-T1-RE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP6N65M2
仓库库存编号:
497-15040-5-ND
别名:497-15040-5
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35.4A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR610DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR610DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR610DP-T1-RE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP19NF20
仓库库存编号:
497-7514-5-ND
别名:497-7514-5
STP19NF20-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL210N4F7AG
仓库库存编号:
STL210N4F7AG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11N60M2-EP
仓库库存编号:
STF11N60M2-EP-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI11N65M2
仓库库存编号:
497-15038-5-ND
别名:497-15038-5
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N380CP ROGTR-ND
别名:TSM60N380CP ROGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N380CP ROGCT-ND
别名:TSM60N380CP ROGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N380CP ROGDKR-ND
别名:TSM60N380CP ROGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NF12
仓库库存编号:
497-4381-5-ND
别名:497-4381-5
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF55-08
仓库库存编号:
497-3202-5-ND
别名:497-3202-5
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 89W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ8N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ8N60E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHJ8N60E-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU13NM60N
仓库库存编号:
STU13NM60N-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 90A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP90N55F4
仓库库存编号:
497-10399-5-ND
别名:497-10399-5
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD9NM50N
仓库库存编号:
497-7980-1-ND
别名:497-7980-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 36.8W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM60NB900CH C5G
仓库库存编号:
TSM60NB900CH C5G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SI3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SI3DI-ND
别名:DMJ70H1D3SI3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SH3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SH3DI-ND
别名:DMJ70H1D3SH3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP60NF06FP
仓库库存编号:
497-3197-5-ND
别名:497-3197-5
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STI20N60M2-EP
仓库库存编号:
STI20N60M2-EP-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 163A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 117W(Tc) DPAK
型号:
NVD5C434NT4G
仓库库存编号:
NVD5C434NT4GOSCT-ND
别名:NVD5C434NT4GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 38W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM60N1R4CH C5G
仓库库存编号:
TSM60N1R4CH C5G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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