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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHF6N65E-GE3-ND
别名：SIHF6N65E-GE3CT
SIHF6N65E-GE3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA12N60E-E3
仓库库存编号：
SIHA12N60E-E3-ND
别名：SIHA12N60E-E3CT
SIHA12N60E-E3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRF5210LPBF
仓库库存编号：
IRF5210LPBF-ND
别名：SP001564364
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 1.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBF20GPBF
仓库库存编号：
IRFIBF20GPBF-ND
别名：*IRFIBF20GPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Tc） 156W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB15N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHB15N50E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP20N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHP20N50E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA15N60E-E3
仓库库存编号：
SIHA15N60E-E3-ND
别名：SIHA15N60E-E3CT
SIHA15N60E-E3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA25N50E-E3
仓库库存编号：
SIHA25N50E-E3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 179W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG20N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHG20N50E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF15N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHF15N65E-GE3-ND
别名：SIHF15N65E-GE3CT
SIHF15N65E-GE3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG25N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHG25N50E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
型号：
SIHB21N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHB21N60EF-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF22N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHF22N65E-GE3-ND
别名：SIHF22N65E-GE3CT
SIHF22N65E-GE3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG22N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHG22N65E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP24N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP24N65E-GE3-ND
别名：SIHP24N65E-GE3CT
SIHP24N65E-GE3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB30N60E-GE3-ND
别名：SIHB30N60EGE3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG24N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHG24N65E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 134.4W（Tc） TO-3P
型号：
FCA16N60N
仓库库存编号：
FCA16N60N-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB28N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHB28N60EF-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N200P3HV
仓库库存编号：
IXTH1N200P3HV-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET PCH 60V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） DPAK
型号：
STD15P6F6AG
仓库库存编号：
STD15P6F6AG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 28.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60NB1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM60NB1R4CP ROGTR-ND
别名：TSM60NB1R4CP ROGTR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 28.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60NB1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM60NB1R4CP ROGCT-ND
别名：TSM60NB1R4CP ROGCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 28.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60NB1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM60NB1R4CP ROGDKR-ND
别名：TSM60NB1R4CP ROGDKR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 3W（Ta），60W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL8N6F7
仓库库存编号：
STL8N6F7-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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