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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ10P50P
仓库库存编号：
IXTQ10P50P-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 2.4W（Ta） PowerFlat?（2x2）
型号：
STL7N6F7
仓库库存编号：
497-16934-1-ND
别名：497-16934-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 57A (Tc) 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
型号：
STL50DN6F7
仓库库存编号：
497-16488-1-ND
别名：497-16488-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
DUAL N-CHANNEL 60 V 0.023 OHM TY
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 33A (Tc) 58W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
型号：
STL36DN6F7
仓库库存编号：
497-17308-1-ND
别名：497-17308-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.9W（Ta）, 48W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL11N6F7
仓库库存编号：
497-16501-1-ND
别名：497-16501-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V 4.2 MOHM TYP. 80
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
型号：
STD130N6F7
仓库库存编号：
497-17305-1-ND
别名：497-17305-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
型号：
STD134N4F7AG
仓库库存编号：
497-17306-1-ND
别名：497-17306-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 172W（Tc） DPAK
型号：
STD170N4F7AG
仓库库存编号：
497-17307-1-ND
别名：497-17307-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD10N60M2
仓库库存编号：
497-13937-1-ND
别名：497-13937-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
POWER TRANSISTORS
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 111W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL140N4F7AG
仓库库存编号：
497-16679-1-ND
别名：497-16679-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
POWER TRANSISTORS
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 127W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL190N4F7AG
仓库库存编号：
497-16678-1-ND
别名：497-16678-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7464DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7464DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7464DP-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7464DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7464DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7464DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHB6N65E-GE3CT-ND
别名：SIHB6N65E-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34STRLPBFCT-ND
别名：IRF9Z34STRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2PAK-6
型号：
STH140N6F7-6
仓库库存编号：
497-16971-1-ND
别名：497-16971-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
型号：
NTB60N06T4G
仓库库存编号：
NTB60N06T4GOSCT-ND
别名：NTB60N06T4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
AUTO NCHANNEL 60V POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL225N6F7AG
仓库库存编号：
497-17551-1-ND
别名：497-17551-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ34NPBF
仓库库存编号：
IRFIZ34NPBF-ND
别名：*IRFIZ34NPBF
SP001575796
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 40 V 21 MOHM TYP. 120
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 235W（Tc） TO-220
型号：
STP260N4F7
仓库库存编号：
497-17320-ND
别名：497-17320
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHP12N50E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP15N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHP15N50E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP12N65E-GE3-ND
别名：SIHP12N65E-GE3CT
SIHP12N65E-GE3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU13N60M2
仓库库存编号：
497-13885-5-ND
别名：497-13885-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 114W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB12N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N50E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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