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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），129A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
型号：
FDMT800120DC
仓库库存编号：
FDMT800120DCCT-ND
别名：FDMT800120DCCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 312W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FCB36N60NTM
仓库库存编号：
FCB36N60NTMCT-ND
别名：FCB36N60NTMCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH240N75F3-2
仓库库存编号：
497-13271-1-ND
别名：497-13271-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH26N60EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH26N60EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH26N60EF-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH24N65EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH24N65EF-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 450W（Tc） MAX247?
型号：
STY140NS10
仓库库存编号：
497-3267-5-ND
别名：497-3267-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 104W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH04N300P3HV
仓库库存编号：
IXTH04N300P3HV-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N300P3HV
仓库库存编号：
IXTH1N300P3HV-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-268
型号：
IXTT1N300P3HV
仓库库存编号：
IXTT1N300P3HV-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3518TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3518TRPBFCT-ND
别名：IRFR3518TRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF9530NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF9530NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
型号：
IRF540NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF540NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF540NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF6215STRLPBF
仓库库存编号：
IRF6215STRLPBFCT-ND
别名：IRF6215STRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ46NSTRLPBFCT-ND
别名：IRFZ46NSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44ESTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ44ESTRLPBFCT-ND
别名：IRFZ44ESTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90P04P405ATMA1
仓库库存编号：
IPD90P04P405ATMA1CT-ND
别名：IPD90P04P405ATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3710STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3710STRLPBFCT-ND
别名：IRF3710STRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1405ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1405ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF1405ZSTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
AUIRF1404ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF1404ZSTRLCT-ND
别名：AUIRF1404ZSTRLCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 100V 10A
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） DPAK
型号：
STD10P10F6
仓库库存编号：
497-16300-1-ND
别名：497-16300-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） DPAK
型号：
STD10P6F6
仓库库存编号：
497-13424-1-ND
别名：497-13424-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD20NF20
仓库库存编号：
497-5810-1-ND
别名：497-5810-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD13N60M2
仓库库存编号：
497-13862-1-ND
别名：497-13862-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL24N60M2
仓库库存编号：
497-14214-1-ND
别名：497-14214-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 312W（Tc） TO-220AB
型号：
STP120NF10
仓库库存编号：
497-4118-5-ND
别名：497-4118-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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