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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3652
仓库库存编号:
FDB3652CT-ND
别名:FDB3652CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta) 3.8W(Ta),83W(Tc) TO-252
型号:
FDD3670
仓库库存编号:
FDD3670CT-ND
别名:FDD3670CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7738DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7738DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7738DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 56W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL16N65M2
仓库库存编号:
497-15259-1-ND
别名:497-15259-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.9A(Tc) 96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ7N65E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ7N65E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHJ7N65E-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86566_F085
仓库库存编号:
FDB86566_F085CT-ND
别名:FDB86566_F085CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL25N60M2-EP
仓库库存编号:
497-16249-1-ND
别名:497-16249-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta) 254W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8442_F085
仓库库存编号:
FDB8442_F085CT-ND
别名:FDB8442_F085CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 52W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL16N60M2
仓库库存编号:
497-16003-1-ND
别名:497-16003-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Tc) 3W(Ta),40W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9620STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9620STRLPBFCT-ND
别名:IRF9620STRLPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF3710Z
仓库库存编号:
AUIRF3710Z-ND
别名:SP001522092
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
AOT15S65L
仓库库存编号:
785-1511-5-ND
别名:AOT15S65L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9630STRLPBFCT-ND
别名:IRF9630STRLPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 143W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB10N50CFTM_WS
仓库库存编号:
FQB10N50CFTM_WSCT-ND
别名:FQB10N50CFTM_WSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 227W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD9407_F085
仓库库存编号:
FDD9407_F085CT-ND
别名:FDD9407_F085CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB18N60M2
仓库库存编号:
497-13933-1-ND
别名:497-13933-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 125W(Tc)
型号:
IRF740ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRF740ASTRLPBFCT-ND
别名:IRF740ASTRLPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD95N04
仓库库存编号:
497-5106-1-ND
别名:497-5106-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB155N3H6
仓库库存编号:
497-11322-1-ND
别名:497-11322-1
497-11322-5
497-11322-5-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 10A 2.2W Surface Mount Power56
型号:
FDMS8090
仓库库存编号:
FDMS8090CT-ND
别名:FDMS8090CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 158W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH140N6F7-2
仓库库存编号:
497-16314-1-ND
别名:497-16314-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF12N60E-GE3CT-ND
别名:SIHF12N60E-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1404Z
仓库库存编号:
AUIRF1404Z-ND
别名:SP001520218
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840STRLPBF
仓库库存编号:
IRF840STRLPBFCT-ND
别名:IRF840STRLPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB18NF30
仓库库存编号:
497-12970-1-ND
别名:497-12970-1
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