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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta），375A（Tc） 3.8W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7739L2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7739L2TRPBFDKR-ND
别名：IRF7739L2TRPBFDKR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S204ATMA4
仓库库存编号：
IPB100N04S204ATMA4CT-ND
别名：IPB100N04S204ATMA4CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB015N04NX3 G
仓库库存编号：
BSB015N04NX3 GCT-ND
别名：BSB015N04NX3 GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 106A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3808STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3808STRLPBFCT-ND
别名：IRF3808STRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S205ATMA4
仓库库存编号：
IPB100N06S205ATMA4CT-ND
别名：IPB100N06S205ATMA4CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S203ATMA4
仓库库存编号：
IPB160N04S203ATMA4CT-ND
别名：IPB160N04S203ATMA4CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRF1405ZLPBF
仓库库存编号：
IRF1405ZLPBF-ND
别名：*IRF1405ZLPBF
SP001570006
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 42A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF4905STRL
仓库库存编号：
AUIRF4905STRLCT-ND
别名：AUIRF4905STRLCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 330W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF2804STRL7PP
仓库库存编号：
IRF2804STRL7PPCT-ND
别名：IRF2804STRL7PPCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4310TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4310TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4310TRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3805STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3805STRLPBFCT-ND
别名：IRF3805STRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 135V 129A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 441W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRF135S203
仓库库存编号：
IRF135S203CT-ND
别名：IRF135S203CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF1324STRL-7PP
仓库库存编号：
IRF1324STRL-7PPCT-ND
别名：IRF1324STRL-7PPCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），345A（Tc） 3.8W（Ta）, 341W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
AUIRF7749L2TR
仓库库存编号：
AUIRF7749L2CT-ND
别名：AUIRF7749L2CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP55NF06
仓库库存编号：
497-2777-5-ND
别名：497-2777-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
型号：
STP30NF10
仓库库存编号：
497-7520-5-ND
别名：497-7520-5
STP30NF10-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P CH 60V 10A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 30W（Tc） TO-220
型号：
STP10P6F6
仓库库存编号：
497-13440-ND
别名：497-13440
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 33V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP75NS04Z
仓库库存编号：
497-5981-5-ND
别名：497-5981-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 17A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF17NF25
仓库库存编号：
497-7471-5-ND
别名：497-7471-5
STF17NF25-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80NF55-06
仓库库存编号：
497-2774-5-ND
别名：497-2774-5
STP80NF5506
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP10NM60N
仓库库存编号：
497-9098-5-ND
别名：497-9098-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB11P06TM
仓库库存编号：
FQB11P06TMCT-ND
别名：FQB11P06TMCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12.8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP13N10
仓库库存编号：
FQP13N10-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF620PBF
仓库库存编号：
IRF620PBF-ND
别名：*IRF620PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP20N06
仓库库存编号：
FQP20N06-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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