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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH POWERDI5060-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.9A（Ta），100A（Tc） 2.6W（Ta），150W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH4005SPSQ-13
仓库库存编号：
DMTH4005SPSQ-13DICT-ND
别名：DMTH4005SPSQ-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.8W（Ta），60W（Tc） TO-252
型号：
FDD5680
仓库库存编号：
FDD5680CT-ND
别名：FDD5680CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta）, 167W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH4004SPSQ-13
仓库库存编号：
DMTH4004SPSQ-13DICT-ND
别名：DMTH4004SPSQ-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.9W（Ta）, 180W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMTH6004SK3-13
仓库库存编号：
DMTH6004SK3-13DICT-ND
别名：DMTH6004SK3-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta）, 167W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH4004SPS-13
仓库库存编号：
DMTH4004SPS-13DICT-ND
别名：DMTH4004SPS-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 3A 800V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 80W（Tc） DPAK
型号：
CDM3-800 TR13
仓库库存编号：
CDM3-800 TR13CT-ND
别名：CDM3-800 TR13CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 4A 600V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 38W（Tc） DPAK
型号：
CDM4-600LR TR13
仓库库存编号：
CDM4-600LR TR13CT-ND
别名：CDM4-600LR TR13CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH6012SPS-13
仓库库存编号：
DMNH6012SPS-13DICT-ND
别名：DMNH6012SPS-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
NTD6414ANT4G
仓库库存编号：
NTD6414ANT4GOSCT-ND
别名：NTD6414ANT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 22.7A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FQD30N06TM
仓库库存编号：
FQD30N06TMCT-ND
别名：FQD30N06TMCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 14.2A 2.6W Surface Mount PowerDI5060-8
型号：
DMTH4007SPDQ-13
仓库库存编号：
DMTH4007SPDQ-13DICT-ND
别名：DMTH4007SPDQ-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） I-Pak
型号：
FQU5N50CTU_WS
仓库库存编号：
FQU5N50CTU_WS-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATRPBF
仓库库存编号：
IRFR1N60APBFCT-ND
别名：*IRFR1N60ATRPBF
IRFR1N60APBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD13AN06A0_F085
仓库库存编号：
FDD13AN06A0_F085CT-ND
别名：FDD13AN06A0_F085CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 98A（Tc） 115W（Tc） DPAK-3
型号：
NTD5862NT4G
仓库库存编号：
NTD5862NT4GOSCT-ND
别名：NTD5862NT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH10H028SPS-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SPS-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SPS-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 110A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH4006SPSQ-13
仓库库存编号：
DMNH4006SPSQ-13DICT-ND
别名：DMNH4006SPSQ-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 20A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），140A（Tc） 2.2W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMNH4006SK3Q-13
仓库库存编号：
DMNH4006SK3Q-13DICT-ND
别名：DMNH4006SK3Q-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 3.8W（Ta），60W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD3690
仓库库存编号：
FDD3690CT-ND
别名：FDD3690CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 65A
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 100W（Tj） Power56
型号：
FDMS9409_F085
仓库库存编号：
FDMS9409_F085CT-ND
别名：FDMS9409_F085CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD7N60M2
仓库库存编号：
497-13941-1-ND
别名：497-13941-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD11N60M2-EP
仓库库存编号：
497-16936-1-ND
别名：497-16936-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 60W（Tc） D2PAK
型号：
STB6N60M2
仓库库存编号：
497-13934-1-ND
别名：497-13934-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD3N60CTM_WS
仓库库存编号：
FQD3N60CTM_WSCT-ND
别名：FQD3N60CTM_WSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta），7A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC2674
仓库库存编号：
FDMC2674CT-ND
别名：FDMC2674CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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