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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP22N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP22N65E-GE3-ND
别名：SIHP22N65E-GE3CT
SIHP22N65E-GE3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
AOK27S60L
仓库库存编号：
785-1534-5-ND
别名：AOK27S60L-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-220
型号：
STP27N60M2-EP
仓库库存编号：
497-16489-5-ND
别名：497-16489-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF33N60M2
仓库库存编号：
497-14217-5-ND
别名：497-14217-5
STF33N60M2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-247-3
型号：
STW27N60M2-EP
仓库库存编号：
497-16490-5-ND
别名：497-16490-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3006PBF
仓库库存编号：
IRFSL3006PBF-ND
别名：SP001573396
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB24N65E-E3
仓库库存编号：
SIHB24N65E-E3-ND
别名：SIHB24N65EE3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP28N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHP28N60EF-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF28N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHF28N60EF-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP33N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHP33N60EF-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB33N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHB33N60EF-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG28N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHG28N60EF-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHG33N60E-GE3-ND
别名：SIHG33N60E-GE3CT
SIHG33N60E-GE3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG33N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHG33N60EF-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA170N06
仓库库存编号：
FQA170N06-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW42N60M2-EP
仓库库存编号：
497-16309-5-ND
别名：497-16309-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 42A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-247 长引线
型号：
STWA48N60M2
仓库库存编号：
497-16513-5-ND
别名：497-16513-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW70N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHW70N60EF-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
TSM2N60SCW RPG
仓库库存编号：
TSM2N60SCW RPGTR-ND
别名：TSM2N60SCW RPGTR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
TSM2N60SCW RPG
仓库库存编号：
TSM2N60SCW RPGCT-ND
别名：TSM2N60SCW RPGCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
TSM2N60SCW RPG
仓库库存编号：
TSM2N60SCW RPGDKR-ND
别名：TSM2N60SCW RPGDKR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 95A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 95A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-252-4L
型号：
DMTH4005SK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH4005SK3Q-13DICT-ND
别名：DMTH4005SK3Q-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR120ZTRPBFCT-ND
别名：IRFR120ZTRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 17.6A（Ta），76A（Tc） 3.1W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMTH4007SK3-13
仓库库存编号：
DMTH4007SK3-13DICT-ND
别名：DMTH4007SK3-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM650N15CS RLG
仓库库存编号：
TSM650N15CS RLGTR-ND
别名：TSM650N15CS RLGTR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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