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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1104PBF
仓库库存编号：
IRF1104PBF-ND
别名：*IRF1104PBF
SP001570050
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） I-Pak
型号：
STU12N60M2
仓库库存编号：
497-16024-5-ND
别名：497-16024-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） TO-220
型号：
STP10N60M2
仓库库存编号：
497-13970-5-ND
别名：497-13970-5
STP10N60M2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI12N60M2
仓库库存编号：
497-16015-5-ND
别名：497-16015-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
SIHU6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHU6N65E-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600V M2 POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 169W（Tc） D2PAK
型号：
STB26N60M2
仓库库存编号：
497-17546-1-ND
别名：497-17546-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 140W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP048NPBF
仓库库存编号：
IRFP048NPBF-ND
别名：*IRFP048NPBF
SP001567000
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3207TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3207TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3207TRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU16N60M2
仓库库存编号：
497-16025-5-ND
别名：497-16025-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 370mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD420PBF
仓库库存编号：
IRFD420PBF-ND
别名：*IRFD420PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK-6
型号：
STH290N4F6-6AG
仓库库存编号：
497-16510-1-ND
别名：497-16510-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
型号：
SIHD7N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHD7N60E-GE3-ND
别名：SIHD7N60EGE3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH290N4F6-2AG
仓库库存编号：
497-16509-1-ND
别名：497-16509-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 210A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF2204PBF
仓库库存编号：
IRF2204PBF-ND
别名：*IRF2204PBF
SP001576552
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF3805STRL-7PP
仓库库存编号：
IRF3805STRL-7PPCT-ND
别名：IRF3805STRL-7PPCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI730GPBF
仓库库存编号：
IRFI730GPBF-ND
别名：*IRFI730GPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL33N65M2
仓库库存编号：
497-16939-1-ND
别名：497-16939-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1405ZPBF
仓库库存编号：
IRF1405ZPBF-ND
别名：*IRF1405ZPBF
64-0097PBF
64-0097PBF-ND
SP001563230
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI13N65M2
仓库库存编号：
497-16016-5-ND
别名：497-16016-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta） 2W（Ta），178W（Tj） D2PAK
型号：
NTB35N15T4G
仓库库存编号：
NTB35N15T4GOSCT-ND
别名：NTB35N15T4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFDC20PBF
仓库库存编号：
IRFDC20PBF-ND
别名：*IRFDC20PBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STFU13N65M2
仓库库存编号：
497-16107-5-ND
别名：497-16107-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 142A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1607PBF
仓库库存编号：
IRF1607PBF-ND
别名：*IRF1607PBF
SP001553894
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 210A（Tc） 3.8W（Ta），230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3703PBF
仓库库存编号：
IRF3703PBF-ND
别名：*IRF3703PBF
SP001574662
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 200W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP3415PBF
仓库库存编号：
IRFP3415PBF-ND
别名：*IRFP3415PBF
SP001566972
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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