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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 72A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48VSTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ48VSTRLPBF-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 14A（Tc） 56W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3911TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3911TRPBF-ND
别名：SP001560664
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB05CN10N G
仓库库存编号：
IPB05CN10N G-ND
别名：SP000096440
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2-04
IPB100N04S2-04-ND
SP000219061
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB100N06S2-05
IPB100N06S2-05-ND
SP000218874
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S203ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S203ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03-ND
SP000218151
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-04
IPB80N04S2-04-ND
SP000218154
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2H4ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4-ND
SP000218165
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-05
IPB80N06S2-05-ND
SP000218877
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI04CN10N G
仓库库存编号：
IPI04CN10N G-ND
别名：SP000398084
SP000680660
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI05CN10N G
仓库库存编号：
IPI05CN10N G-ND
别名：SP000208922
SP000680664
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S204AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S204AKSA1-ND
别名：IPI80N04S2-04
IPI80N04S2-04-ND
SP000219058
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S2H4AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S2H4AKSA1-ND
别名：IPI80N04S2-H4
IPI80N04S2-H4-ND
SP000218171
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S204AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S204AKSA1-ND
别名：IPP100N04S2-04
IPP100N04S2-04-ND
SP000219056
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S205AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N06S205AKSA1-ND
别名：IPP100N06S2-05
IPP100N06S2-05-ND
SP000218872
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S204AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S204AKSA1-ND
别名：IPP80N04S2-04
IPP80N04S2-04-ND
SP000219054
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S2H4AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S2H4AKSA1-ND
别名：IPP80N04S2-H4
IPP80N04S2-H4-ND
SP000218169
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S205AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S205AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2-05
IPP80N06S2-05-ND
SP000218873
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 24V 195A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
IRF1324LPBF
仓库库存编号：
IRF1324LPBF-ND
别名：SP001564274
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Ta） 380W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3004PBF
仓库库存编号：
IRFSL3004PBF-ND
别名：SP001578466
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 195A（Tc） 370W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3107PBF
仓库库存编号：
IRFSL3107PBF-ND
别名：SP001557588
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 195A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1324STRLPBF
仓库库存编号：
IRF1324STRLPBFCT-ND
别名：IRF1324STRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5505GTRPBF
仓库库存编号：
IRFR5505GTRPBFCT-ND
别名：IRFR5505GTRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1404ZGPBF
仓库库存编号：
IRF1404ZGPBF-ND
别名：SP001553874
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3004GPBF
仓库库存编号：
IRFB3004GPBF-ND
别名：SP001563908
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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