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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N04S2-04
  仓库库存编号：SPB80N04S2-04-ND
  别名：SP000016353
  SPB80N04S204T
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N04S2-H4
  仓库库存编号：SPB80N04S2-H4-ND
  别名：SP000016358
  SPB80N04S2H4T
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-05
  仓库库存编号：SPB80N06S2-05-ND
  别名：SP000016351
  SPB80N06S205T
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N08S2-07
  仓库库存编号：SPB80N08S2-07-ND
  别名：SP000016355
  SPB80N08S207T
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06P
  仓库库存编号：SPD08P06P-ND
  别名：SP000077441
  SPD08P06PXT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2-03
  仓库库存编号：SPI100N03S2-03-ND
  别名：SP000013492
  SPI100N03S203X
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2-03
  仓库库存编号：SPI80N03S2-03-ND
  别名：SP000016262
  SPI80N03S203X
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N04S2-04
  仓库库存编号：SPI80N04S2-04-ND
  别名：SP000015085
  SPI80N04S204
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N08S2-07
  仓库库存编号：SPI80N08S2-07-ND
  别名：SP000013954
  SPI80N08S207
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N08S2-07R
  仓库库存编号：SPI80N08S2-07R-ND
  别名：SP000013717
  SPI80N08S207R
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N04S2-04
  仓库库存编号：SPP100N04S2-04-ND
  别名：SP000013718
  SPP100N04S204
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N06S2-05
  仓库库存编号：SPP100N06S2-05-ND
  别名：SP000013720
  SPP100N06S205
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N08S2-07
  仓库库存编号：SPP100N08S2-07-ND
  别名：SP000013722
  SPP100N08S207
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2-03
  仓库库存编号：SPP80N03S2-03-ND
  别名：SP000012468
  SPP80N03S203X
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N04S2-04
  仓库库存编号：SPP80N04S2-04-ND
  别名：SP000012470
  SPP80N04S204
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N04S2-H4
  仓库库存编号：SPP80N04S2-H4-ND
  别名：SP000013150
  SPP80N04S2H4
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-05
  仓库库存编号：SPP80N06S2-05-ND
  别名：SP000012473
  SPP80N06S205
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N08S2-07
  仓库库存编号：SPP80N08S2-07-ND
  别名：SP000012475
  SPP80N08S207
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP170PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP170PL6327
  BSP170PL6327INCT
  BSP170PL6327INCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGINCT-ND
  别名：SPD08P06PGINCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP04CN10NG
  仓库库存编号：IPP04CN10NGIN-ND
  别名：IPP04CN10N G
  IPP04CN10NGIN
  IPP04CN10NGXK
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120NCPBF
  仓库库存编号：IRFR120NCPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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  MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5305CPBF
  仓库库存编号：IRFR5305CPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4104-701PBF
  仓库库存编号：IRFU4104-701PBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR6215CPBF
  仓库库存编号：IRFR6215CPBF-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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