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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU9120NPBF
仓库库存编号：
IRFU9120NPBF-ND
别名：*IRFU9120NPBF
SP001568138
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4105PBF
仓库库存编号：
IRFU4105PBF-ND
别名：*IRFU4105PBF
SP001567818
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL1006PBF
仓库库存编号：
IRFL1006PBF-ND
别名：*IRFL1006PBF
SP001571088
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 60V 130A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP064VPBF
仓库库存编号：
IRFP064VPBF-ND
别名：*IRFP064VPBF
SP001556686
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ46ZLPBF
仓库库存编号：
IRFZ46ZLPBF-ND
别名：*IRFZ46ZLPBF
SP001576304
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ48ZLPBF
仓库库存编号：
IRFZ48ZLPBF-ND
别名：*IRFZ48ZLPBF
SP001573562
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 14A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ24EPBF
仓库库存编号：
IRFIZ24EPBF-ND
别名：*IRFIZ24EPBF
SP001575814
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRF4104LPBF
仓库库存编号：
IRF4104LPBF-ND
别名：*IRF4104LPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） TO-262
型号：
IRF1010NLPBF
仓库库存编号：
IRF1010NLPBF-ND
别名：*IRF1010NLPBF
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ48NLPBF
仓库库存编号：
IRFZ48NLPBF-ND
别名：*IRFZ48NLPBF
SP001576332
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU120ZPBF
仓库库存编号：
IRFU120ZPBF-ND
别名：*IRFU120ZPBF
SP001578408
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3504ZPBF
仓库库存编号：
IRFU3504ZPBF-ND
别名：*IRFU3504ZPBF
SP001568178
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU2905ZPBF
仓库库存编号：
IRFU2905ZPBF-ND
别名：*IRFU2905ZPBF
SP001550254
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N03S203
仓库库存编号：
SPP100N03S203-ND
别名：SP000013463
SPP100N03S203X
SPP100N03S203X-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP170PE6327T
仓库库存编号：
BSP170PE6327XTINCT-ND
别名：BSP170PE6327XTINCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.8A（Tc） 42W（Tc） DPAK
型号：
IRFR220,118
仓库库存编号：
IRFR220,118-ND
别名：934056819118
IRFR220 /T3
IRFR220 /T3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP054NE8NGHKSA2
仓库库存编号：
IPP054NE8NGHKSA2-ND
别名：IPP054NE8N G
IPP054NE8N G-ND
IPP054NE8NGX
IPP054NE8NGXK
SP000096462
SP000680804
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB08P06P
仓库库存编号：
SPB08P06P-ND
别名：SP000012508
SPB08P06PT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号：
SPB100N03S2-03 G-ND
别名：SP000200140
SPB100N03S203GXT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N04S2-04
仓库库存编号：
SPB100N04S2-04-ND
别名：SP000013711
SPB100N04S204T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N06S2-05
仓库库存编号：
SPB100N06S2-05-ND
别名：SP000013713
SPB100N06S205T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N08S2-07
仓库库存编号：
SPB100N08S2-07-ND
别名：SP000013715
SPB100N08S207T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
SPB160N04S203CTMA1
仓库库存编号：
SPB160N04S203CTMA1TR-ND
别名：SP000014263
SPB160N04S2-03
SPB160N04S2-03-ND
SPB160N04S203T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2-03
仓库库存编号：
SPB80N03S2-03-ND
别名：SP000016251
SPB80N03S203T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S203GATMA1
仓库库存编号：
SPB80N03S203GATMA1TR-ND
别名：SP000200139
SPB80N03S2-03 G
SPB80N03S2-03 G-ND
SPB80N03S203GXT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
无铅
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