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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7493TR
仓库库存编号：
IRF7493TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2905ZTR
仓库库存编号：
IRFR2905ZTR-ND
别名：SP001566952
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2905ZTRL
仓库库存编号：
IRFR2905ZTRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2905ZTRR
仓库库存编号：
IRFR2905ZTRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120Z
仓库库存编号：
IRFR120Z-ND
别名：*IRFR120Z
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU120Z
仓库库存编号：
IRFU120Z-ND
别名：*IRFU120Z
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL024Z
仓库库存编号：
IRFL024Z-ND
别名：*IRFL024Z
SP001551986
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU2905Z
仓库库存编号：
IRFU2905Z-ND
别名：*IRFU2905Z
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ44Z
仓库库存编号：
IRFZ44Z-ND
别名：*IRFZ44Z
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ46Z
仓库库存编号：
IRFZ46Z-ND
别名：*IRFZ46Z
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ44VZ
仓库库存编号：
IRFZ44VZ-ND
别名：*IRFZ44VZ
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ48Z
仓库库存编号：
IRFZ48Z-ND
别名：*IRFZ48Z
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44ZS
仓库库存编号：
IRFZ44ZS-ND
别名：*IRFZ44ZS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ44ZL
仓库库存编号：
IRFZ44ZL-ND
别名：*IRFZ44ZL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46ZS
仓库库存编号：
IRFZ46ZS-ND
别名：*IRFZ46ZS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ46ZL
仓库库存编号：
IRFZ46ZL-ND
别名：*IRFZ46ZL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44VZS
仓库库存编号：
IRFZ44VZS-ND
别名：*IRFZ44VZS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ48ZL
仓库库存编号：
IRFZ48ZL-ND
别名：*IRFZ48ZL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ44VZL
仓库库存编号：
IRFZ44VZL-ND
别名：*IRFZ44VZL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48ZS
仓库库存编号：
IRFZ48ZS-ND
别名：*IRFZ48ZS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
IRF540ZS
仓库库存编号：
IRF540ZS-ND
别名：*IRF540ZS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-262
型号：
IRF540ZL
仓库库存编号：
IRF540ZL-ND
别名：*IRF540ZL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRF4104L
仓库库存编号：
IRF4104L-ND
别名：*IRF4104L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF4104S
仓库库存编号：
IRF4104S-ND
别名：*IRF4104S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRF1010ZL
仓库库存编号：
IRF1010ZL-ND
别名：*IRF1010ZL
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA,
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